日震對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響仍在余波蕩漾。今年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將會如何？未來2～3年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的走向?yàn)楹?？日震對于全球半?dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的影響程度應(yīng)該如何看待？曾經(jīng)在英特爾和中芯（SMIC）美國分公司長期服務(wù)、對于全球半導(dǎo)體制造晶圓代工業(yè)界瞭解程度相當(dāng)深厚的Gartner研究總監(jiān)王端，便提出頗具參考價(jià)值的看法與分析。

王端指出，日本地震真正產(chǎn)生影響效應(yīng)的是刺激市場產(chǎn)生供貨短缺的預(yù)期心理，使得半導(dǎo)體廠商為提高庫存水位而提高元件存貨需求，連帶地促使全球晶圓代工廠12寸晶圓供應(yīng)量不斷拉高，日震對于主要晶圓代工廠本身并沒有產(chǎn)生直接影響。但由于石油價(jià)格處于高價(jià)位階段，加上日震后預(yù)期心理，使得消費(fèi)者對于采購智慧型手機(jī)和媒體平板電腦繼續(xù)保持觀望態(tài)度，因此今年第2季之前，智慧型手機(jī)和平板裝置主要帶動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長的兩大終端裝置，成長將處于1～2％的低檔幅度。兩相正反因素抵銷之下，今年全球晶圓代工營收仍將維持Gartner先前的預(yù)估幅度，亦即今年年成長率仍有10.2％、全球總營收為311.5億美元。

值得注意的是，各大晶圓代工廠不斷提高12寸晶圓供應(yīng)，但消費(fèi)電子市場采購半導(dǎo)體元件動(dòng)能趨緩，加上到2013年，全球主要晶圓代工廠都將投入從40奈米過渡到28奈米的激烈競爭行列，以率先提出低功耗、高效能、尺寸更加微型化的晶圓制程，來滿足微處理器和繪圖晶片等系統(tǒng)單晶片、在智慧型手機(jī)和媒體平板裝置內(nèi)要求高度整合和擴(kuò)充性的應(yīng)用需求。因此晶圓代工大廠如何有效發(fā)揮40奈米和28奈米的產(chǎn)能利用率，已是晶圓代工大廠當(dāng)前必須正視的課題。

王端指出，各大晶圓代工廠競相角逐28奈米制程，將使整體晶圓代工產(chǎn)能利用率面臨過渡階段的尷尬期，到2012年全球12寸晶圓將處于過剩狀態(tài)。預(yù)估今年全球12寸晶圓供應(yīng)將過剩34％，明年則會有28％，臺積電12寸晶圓過剩供應(yīng)將超出33％，聯(lián)電也有20％的過剩供應(yīng)。晶圓過剩供應(yīng)情況將繼續(xù)到2013年。但也因?yàn)榫A代工大廠開始啟動(dòng)從40奈米到28奈米的制程過渡計(jì)劃，因此到2013年，晶圓代工大廠平均產(chǎn)能利用率相對維持在80％左右的相對低檔。

王端進(jìn)一步指出，2012年28奈米制程將成為主流制程，但目前真正能夠進(jìn)入28奈米量產(chǎn)營收階段的，只有臺積電，具體提出在今年第3季達(dá)到1％、第4季可達(dá)到2～3％的營收目標(biāo)。臺積電預(yù)估28奈米制程可從1％提升到10％營收的時(shí)程，也只要4個(gè)季度，比起一般所需要的5個(gè)季度更短。因此王端認(rèn)為，從產(chǎn)品、產(chǎn)能、制程技術(shù)、IP專利到客戶服務(wù)，臺積電仍將在幾年內(nèi)穩(wěn)坐全球晶圓代工龍頭、保持業(yè)界長期規(guī)范的優(yōu)勢地位。

至于Global Foundries（GF）和三星電子與IBM透過IBM Common Platform，也在28奈米技術(shù)授權(quán)部份有密切的合作，GF已經(jīng)直接跳過32奈米直取28奈米制程，而三星電子則是32奈米和28奈米并重，不過目前GF和三星電子在28奈米都仍處于制程驗(yàn)證合格階段，尚未達(dá)到產(chǎn)品驗(yàn)證階段，仍落后臺積電大概有1～2個(gè)季度的時(shí)程。王端認(rèn)為，今年年底前GF和三星電子能否提出28奈米晶圓制程具體的營收目標(biāo)，是相當(dāng)重要的關(guān)鍵，決定這兩家能否在28奈米制程的激烈競賽中勝出。假使能勝出，28奈米階段全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)四雄并起的局面。但有別于臺積電或是GF廣泛地與更多的晶片制造商客戶合作的模式，三星電子將利用先進(jìn)制程技術(shù)與特定的半導(dǎo)體供應(yīng)商進(jìn)行合作。

目前臺積電和GF都開始進(jìn)行20奈米制程的研發(fā)作業(yè)，不過進(jìn)程最快的還是英特爾，預(yù)計(jì)在2012年可以完成產(chǎn)品驗(yàn)證階段。但既有的矽晶圓制程技術(shù)將面臨效能撞墻的局限。王端表示10年之內(nèi)這個(gè)問題就會出現(xiàn)，不過包括3D IC、碳奈米和光導(dǎo)體等正在開發(fā)的新技術(shù)，則有相對樂觀的空間和機(jī)會可以扮演繼往開來的角色。