甫于日前落幕的日本半導(dǎo)體設(shè)備暨材料展(SEMICON Japan 2010)上，包括應(yīng)用材料(Applied Materials)與艾司摩爾(ASML)等設(shè)備大廠分別宣布，在半導(dǎo)體蝕刻(Etch)與微影(Lithography)制造技術(shù)上取得新的突破，將可大幅提升半導(dǎo)體業(yè)者在先進制程世代的制造良率，并降低整體營運成本。

制程的進步相對會造成蝕刻步驟的增加，進而加重成本負擔(dān)，因此，精準、智慧型且高生產(chǎn)力的蝕刻系統(tǒng)便益發(fā)重要。
應(yīng)用材料副總裁暨蝕刻事業(yè)處總經(jīng)理葉怡利表示，蝕刻是半導(dǎo)體業(yè)界發(fā)展最快的市場之一，因為要實現(xiàn)先進微晶片的極小電路，須仰賴愈來愈多關(guān)鍵的蝕刻步驟；因此，該公司推出新的智慧型蝕刻系統(tǒng)，除可讓每片晶圓均勻度達埃(Angstrom)等級，提高生產(chǎn)良率外，亦能在每小時處理高達一百八十片晶圓，從而減少 30%的單片晶圓成本，是因應(yīng)未來高度復(fù)雜的晶片制造不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。

據(jù)了解，應(yīng)用材料所推出的Centris AdvantEdge Mesa蝕刻系統(tǒng)，主要是系因應(yīng)22奈米及其以下先進制程的邏輯和記憶體晶片制造所開發(fā)，其包含六個蝕刻制程反應(yīng)室和兩個電漿清洗制程反應(yīng)室，在搭配該公司專利的智慧型系統(tǒng)軟體運作下，可確保每個反應(yīng)室的每項制程都能精確對準，以達到比市場其他半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)快兩倍的處理速度。

與此同時，應(yīng)用材料也針對近來快速崛起的矽穿孔(TSV)技術(shù)，推出全新的加強型Silvia蝕刻系統(tǒng)，利用新電漿源將半導(dǎo)體蝕刻速率大幅提升40%以上，快速制作出高深寬比且剖面光滑垂直的導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)，讓Silvia系統(tǒng)的導(dǎo)孔蝕刻成本首度下降至每片晶圓低于10美元的價位，將有助晶片制造商加速導(dǎo)入矽穿孔技術(shù)，進一步推動三維晶片(3D IC)的發(fā)展。

另一方面，微影設(shè)備大廠艾司摩爾也宣布，兩家位于亞洲的晶片制造商已分別利用該公司TWINSCAN XT:870和TWINSCAN XT:400微影掃描機臺，創(chuàng)下每天處理超過四千片晶圓的記錄，為12寸晶圓的微影作業(yè)生產(chǎn)力設(shè)下新的門檻。艾司摩爾執(zhí)行副總裁暨行銷長Frits van Hout表示，為客戶創(chuàng)造更高生產(chǎn)力一直是艾司摩爾努力的目標，而這項新的里程碑即是該公司與客戶間緊密合作成效的最佳印證。

據(jù)了解，艾司摩爾目前已有超過兩百臺的微影掃描機年產(chǎn)量可達百萬片晶圓的水準，其中包括iLine、KrF、ArF等型式的掃描機，以及超過二十五臺浸潤式(Immersion)微影掃描機。隨著艾司摩爾與客戶端技術(shù)經(jīng)驗的日益豐富，現(xiàn)今一臺微影掃描機只消37周的時間，即可調(diào)整到年產(chǎn)量百萬臺的水準，對微影制程成本結(jié)構(gòu)的改善，不啻有莫大助益。