ArF曝光的22/20nm即將量產(chǎn)，凸版印刷構(gòu)建掩模生產(chǎn)線
[導(dǎo)讀]凸版印刷宣布已經(jīng)建立了面向22nm及20nm工藝的ArF掩模供應(yīng)體制。在該公司的朝霞光掩模工廠內(nèi)，構(gòu)建了22nm/20nm用的ArF掩模生產(chǎn)線，提供給半導(dǎo)體廠家的試制及量產(chǎn)用途。該技術(shù)是與美國(guó)IBM聯(lián)合開(kāi)發(fā)的。
此次開(kāi)發(fā)的掩
凸版印刷宣布已經(jīng)建立了面向22nm及20nm工藝的ArF掩模供應(yīng)體制。在該公司的朝霞光掩模工廠內(nèi)，構(gòu)建了22nm/20nm用的ArF掩模生產(chǎn)線，提供給半導(dǎo)體廠家的試制及量產(chǎn)用途。該技術(shù)是與美國(guó)IBM聯(lián)合開(kāi)發(fā)的。
此次開(kāi)發(fā)的掩模技術(shù)工藝為了使用ArF曝光技術(shù)來(lái)支持20nm工藝，主要采用了以下三項(xiàng)掩模技術(shù)。第一，開(kāi)發(fā)出了可支持ArF曝光微細(xì)工藝所需的二次圖形（DP）和SMO（Source Mask Optimization）掩模技術(shù)。第二，導(dǎo)入名為薄膜OMOG（opaque MoSi on glass）的新型掩模材料，提高了微細(xì)圖案的分辨率、尺寸的均勻性和掩模的平坦度，降低了工藝造成的位置精度劣化，提高了掩模耐清洗性等。第三，減小了掩模的厚度。隨著工藝的微細(xì)化，電磁場(chǎng)偏置（electromagnetic field bias）等起因于掩模厚度的影響逐漸顯現(xiàn)。此次通過(guò)減薄薄膜厚度，減小了這些不良影響。
運(yùn)用此次的掩模技術(shù)有望緩解掩模設(shè)計(jì)中的限制以及提高晶圓處理工序的生產(chǎn)效率，“不僅可以提高掩模自身性能，而且可以通過(guò)與晶圓處理工序中轉(zhuǎn)印時(shí)的優(yōu)點(diǎn)形成的組合效果，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的總體光刻解決方案”（凸版印刷）。該技術(shù)的具體細(xì)節(jié)預(yù)定在掩模相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美國(guó)蒙特里）上發(fā)布。(記者：長(zhǎng)廣 恭明)
此次開(kāi)發(fā)的掩模技術(shù)工藝為了使用ArF曝光技術(shù)來(lái)支持20nm工藝，主要采用了以下三項(xiàng)掩模技術(shù)。第一，開(kāi)發(fā)出了可支持ArF曝光微細(xì)工藝所需的二次圖形（DP）和SMO（Source Mask Optimization）掩模技術(shù)。第二，導(dǎo)入名為薄膜OMOG（opaque MoSi on glass）的新型掩模材料，提高了微細(xì)圖案的分辨率、尺寸的均勻性和掩模的平坦度，降低了工藝造成的位置精度劣化，提高了掩模耐清洗性等。第三，減小了掩模的厚度。隨著工藝的微細(xì)化，電磁場(chǎng)偏置（electromagnetic field bias）等起因于掩模厚度的影響逐漸顯現(xiàn)。此次通過(guò)減薄薄膜厚度，減小了這些不良影響。
運(yùn)用此次的掩模技術(shù)有望緩解掩模設(shè)計(jì)中的限制以及提高晶圓處理工序的生產(chǎn)效率，“不僅可以提高掩模自身性能，而且可以通過(guò)與晶圓處理工序中轉(zhuǎn)印時(shí)的優(yōu)點(diǎn)形成的組合效果，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的總體光刻解決方案”（凸版印刷）。該技術(shù)的具體細(xì)節(jié)預(yù)定在掩模相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美國(guó)蒙特里）上發(fā)布。(記者：長(zhǎng)廣 恭明)
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