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Novellus精密抗反射層薄膜超越32nm制程需求

時間：2010-05-06 06:42:00

關(guān)鍵字：反射薄膜 NOVELL 晶圓

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[導讀]諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus)日前宣布，已經(jīng)在VECTOR PECVD平臺上開發(fā)出具有晶圓對晶圓間膜厚變異小于2埃的精密抗反射層薄膜(ARL)。新制程采用VECTOR特有的多重平臺序列式沉積工藝技術(shù)架構(gòu)(MSSP)，沉積出的ARL薄膜具有格外

諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus)日前宣布，已經(jīng)在VECTOR PECVD平臺上開發(fā)出具有晶圓對晶圓間膜厚變異小于2埃的精密抗反射層薄膜(ARL)。新制程采用VECTOR特有的多重平臺序列式沉積工藝技術(shù)架構(gòu)(MSSP)，沉積出的ARL薄膜具有格外均勻的薄膜厚度、折射率(n)和消光系數(shù)(K)。這種新薄膜已超越了次32nm微顯影的要求，且優(yōu)于由平行式單平臺沉積技術(shù)所制造出來的薄膜。
成功控制關(guān)鍵尺寸(CD)的變化量是對32及次32奈米微顯影不可或缺的一環(huán)。2009年國際半導體技術(shù)藍圖(ITRS)中建議總關(guān)鍵尺寸(CD)的變異量應(yīng)控制在小于1nm，以確保超高性能電路的功能性。如高端相位偏移遮蔽復(fù)合光學近端校正的先進的微顯影CD控制設(shè)備，已成為極其昂貴的投資，以便達到32奈米組件制造的嚴格CD控制需求。
另外有一個有效且較不昂貴被稱為「劑量補償」的技術(shù)被應(yīng)用來控制微顯影技術(shù)的變異量，晶圓上特定區(qū)域的照射劑量被軟件運算所補償調(diào)整，為了確保適當?shù)膭┝垦a償，這個技術(shù)成功的關(guān)鍵在于需要在每一片晶圓上應(yīng)用可精密控制膜厚及光學特性的抗反射層薄膜。
諾發(fā)公司的工程師已經(jīng)在VECTOR機臺上開發(fā)出一種新的ARL制程技術(shù)，且提供了這些需要使用光譜吸收劑量補償控制策略的晶圓間有著更一致的效果。新的制程技術(shù)，還連結(jié)了VECTOR機臺本身角度精準度小于0.3毫米，以確保預(yù)期的薄膜性質(zhì)符合32奈米微影技術(shù)的需求。
VECTOR的ARL薄膜無論是在晶圓本身或是晶圓與晶圓之間都有較低的差異性，且擁有著晶圓分布的可預(yù)測性。相較之下，使用單站機臺沉積的ARL薄膜會有極大的晶圓間差異，它將會危及光譜吸收補償控制策略的制程。
此外，諾發(fā)公司的ARL制程只有1.6A的點對點厚度變化，或0.34%的厚度差異。而類似雙單站沉積ARL薄膜的厚度差異卻達到了7.3A(或是1.5% 厚度差異)，誤差超過了諾發(fā)公司的制程4倍之大。在這本來就已經(jīng)是雙單站沉積形式的機臺因素中，這種變化可能過于懸殊去影響到光譜吸收補償制程的CD控制。

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