[導(dǎo)讀]美國D2S公司“SPIE Advanced Lithography 2010”上公布了能以低于原來的成本制作22nm工藝以后LSI制造使用的曝光掩模的方法。因使用圓形電子束繪制含有大量曲線的OPC(輔助)圖案,可以降低繪制掩模圖案所需要的鏡頭(
美國D2S公司“SPIE Advanced Lithography 2010”上公布了能以低于原來的成本制作22nm工藝以后LSI制造使用的曝光掩模的方法。因使用圓形電子束繪制含有大量曲線的OPC(輔助)圖案,可以降低繪制掩模圖案所需要的鏡頭(Shot)數(shù)量。此次,作為該方法所需要的EDA工具,開發(fā)出了OPC圖案的圓形光束鏡頭分解(Flucturing)軟件。目前,該公司正與從事掩模繪制用EB曝光裝置業(yè)務(wù)的日本電子(JEOL)共同驗證該工具的實用性。在內(nèi)存和邏輯LSI的制造中,“專門用于延長現(xiàn)有ArF曝光壽命,從而成為盡早使22nm工藝量產(chǎn)化的方法”(D2S董事長兼首席執(zhí)行官Aki Fujimura)。
為了提高曝光精度,22nm工藝以后OPC圖案多采用曲線而非直線。例如,在基于向晶圓轉(zhuǎn)印圖案逆運算掩模圖案以提高精度的逆向光刻(Inverse Lithography)中,帶有曲線的OPC圖案比原來增加了許多(圖1)。這種情況下,現(xiàn)有以矩形電子束繪制圖案為前提的掩模制造法,難以高精度繪制OPC圖案,圖案繪制需要的鏡頭數(shù)也會增加,從而使繪制時間變得極為漫長。
此次D2S提出的方法是,以圓形電子束而非矩形電子束來繪制含有很多曲線的OPC圖案。圓形光束與矩形光束相比更易于操縱,因此可以高精度地繪制出含有曲線的OPC圖案。如果使鏡頭間圓形光束的照射范圍重疊(Overwrap),還可以控制鏡頭數(shù)量。例如,設(shè)想采用矩形光束繪制需要40個鏡頭的飛鏢(Boomerang)狀圖案,如果用重疊圓形光束繪制只需13個鏡頭即可,而且還可以提高曲線的再現(xiàn)精度(圖2)。
D2S正與JEOL共同推進(jìn)該EDA工具的實用性驗證。即將該工具導(dǎo)入JEOL的掩模繪制用EB曝光裝置,在驗證鏡頭數(shù)量的削減效果和繪制精度等。該成果將在2010年4月13~15日舉行的“Photomask Japan 2010”上發(fā)布。
作為與D2S共同推進(jìn)該方法驗證的合作企業(yè),JEOL與其他五家公司一同參與了由D2S負(fù)責(zé)組織的“eBeam Initiative”。JEOL以外的其他五家公司分別是美國GLOBALFOUNDRIES、美國KLA-Tencor、NuFlare Technology、美國Petersen Advanced Lithography以及韓國三星電子(Samsung Electronics)。(記者:大下 淳一)
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