美商高通(Qualcomm)與其晶圓代工伙伴臺(tái)積電(TSMC)共同宣布，雙方正在28奈米制程技術(shù)進(jìn)行密切合作。此先進(jìn)制程世代可以更具成本效益的將更多功能整合在更小的芯片上，加速無線通信產(chǎn)品在新市場(chǎng)上的擴(kuò)展。
小尺寸與低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片組平臺(tái)在內(nèi)的下世代系統(tǒng)單芯片解決方案之重要特色。奠基于雙方長(zhǎng)久的合作關(guān)系，高通與臺(tái)積電正攜手將產(chǎn)品從45奈米制程直接推進(jìn)至28奈米制程。

高通與臺(tái)積電過去在65奈米與45奈米制程技術(shù)合作十分密切，現(xiàn)在更進(jìn)一步延伸至低耗電、低漏電的28奈米世代進(jìn)行量產(chǎn)。28奈米制程密度可較前一代制程高出一倍，讓執(zhí)行行動(dòng)運(yùn)算的半導(dǎo)體組件能在更低耗電下提供更多功能。

雙方目前在28奈米世代的合作包括高介電層/金屬閘(high-k metal gate，HKMG)的高效能制程技術(shù)以及具備氮氧化硅(silicon oxynitride，SiON)的低耗電高速制程技術(shù)。此外，高通預(yù)計(jì)于2010年年中投產(chǎn)首批 28奈米產(chǎn)品。