三星電子近日宣布其新半導(dǎo)體研發(fā)中心開(kāi)始著手開(kāi)發(fā)先進(jìn)邏輯制程。該項(xiàng)技術(shù)將成為三星在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的重要主力。三星半導(dǎo)體研發(fā)中心將三星電子的邏輯開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)和記憶體開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)集中在一起，以實(shí)現(xiàn)包括新材料，元件結(jié)構(gòu)等各個(gè)領(lǐng)域的協(xié)同作用，并共享尖端的先進(jìn)制程設(shè)備。此舉可為三星的晶圓代工客戶(hù)提供更有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的技術(shù)方案，進(jìn)而在性能、功耗和面積方面為客戶(hù)的產(chǎn)品獲取最佳的競(jìng)爭(zhēng)力。

三星晶圓代工業(yè)務(wù)是三星電子重要的成長(zhǎng)引擎之一，提供先進(jìn)的邏輯制程，竭力服務(wù)半導(dǎo)體業(yè)界諸多優(yōu)秀的fabless公司和IDM公司。目前 45nm已在量產(chǎn)中，并且三星持續(xù)參與IBM制程技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟，共同準(zhǔn)備32nm 及 28nm邏輯制程，以及共同開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的邏輯晶圓代工制程。

三星電子系統(tǒng)LSI部門(mén)總經(jīng)理禹南星博士 (Dr. Stephen Woo)說(shuō)到：“三星今年在晶圓代工業(yè)務(wù)方面取得了重大進(jìn)展，獲得了許多新的合約客戶(hù)，并在最先進(jìn)幾代的制程中取得了良好的技術(shù)成果。我們的新半導(dǎo)體研發(fā)中心將巨幅增加以邏輯晶圓代工制程為核心的資源，并與我們廠(chǎng)區(qū)的邏輯制程整合團(tuán)隊(duì)攜手開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的邏輯制程。我們的宗旨是滿(mǎn)足我們晶圓代工客戶(hù)需求，也同時(shí)深度利用我們領(lǐng)先于世界的記憶體尖端技術(shù)?！?/p>

三星半導(dǎo)體研發(fā)中心專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)下一代記憶體和邏輯的半導(dǎo)體制程，包括28nm制程的開(kāi)發(fā)。在這些先進(jìn)的制程上，三星將沿用其記憶體先進(jìn)技術(shù)成果來(lái)加速其邏輯制程的開(kāi)發(fā)，亦相輔相成。預(yù)期的協(xié)同效應(yīng)將有利于一系列的尖端半導(dǎo)體技術(shù)，其中包括了high-k,，3D transistor，及先進(jìn)的顯影技術(shù);譬如Extreme UV(EUV) 技術(shù)，三星在此領(lǐng)域具有領(lǐng)導(dǎo)地位。此外，三星半導(dǎo)體研發(fā)中心正在開(kāi)發(fā)更具創(chuàng)意的interconnect和封裝技術(shù)方案，專(zhuān)門(mén)針對(duì)深次微米世代所面臨的應(yīng)用挑戰(zhàn)。有如Through Silicon Via (TSV) 技術(shù)，兩顆chips能直接垂直疊接，此方案可提升產(chǎn)品的速度和性能。

三星半導(dǎo)體研發(fā)中心的總經(jīng)理金奇南博士(Dr. Kinam Kim)說(shuō)到：“高性能和低功耗當(dāng)有和諧共存之處。這是研發(fā)中心最關(guān)鍵，也是必竭力完成的研發(fā)工作。我們希望讓IC設(shè)計(jì)專(zhuān)家在下一代的mobile及 high performance SoC的產(chǎn)品上，能有更多樣化的元件選擇，可以盡情發(fā)揮創(chuàng)意，成就優(yōu)越性能和低耗電量。三星正在此方向努力邁進(jìn)，并同時(shí)加強(qiáng)滿(mǎn)足客戶(hù)們對(duì)其它邏輯制程衍生的應(yīng)用要求。當(dāng)然，我們也會(huì)充分運(yùn)用在記憶體領(lǐng)域已取得的成果，將其注入我們?cè)谶壿嬛瞥躺系难邪l(fā)工作。”

三星半導(dǎo)體研發(fā)中心的研究成果，可以與其它研討會(huì)，及共同研發(fā)計(jì)劃相輔相成。三星不光參與IBM的制程技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟，也積極參與IMEC 和Sematech。

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