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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電40/45納米制程傳出好消息,對(duì)岸的晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際也緊跟在后!中芯國(guó)際表示,45納米搭上IBM技術(shù)陣營(yíng)的共通平臺(tái) (Common Platform),進(jìn)展也將愈追愈快,預(yù)計(jì)2009年底將正式投產(chǎn)(Tape-out),2010年放量生產(chǎn)。

臺(tái)積電40/45納米制程傳出好消息,對(duì)岸的晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際也緊跟在后!中芯國(guó)際表示,45納米搭上IBM技術(shù)陣營(yíng)的共通平臺(tái) (Common Platform),進(jìn)展也將愈追愈快,預(yù)計(jì)2009年底將正式投產(chǎn)(Tape-out),2010年放量生產(chǎn)。中芯國(guó)際認(rèn)為在機(jī)器設(shè)備折舊攤提持續(xù)下降與高階制程加入雙重效果下,2010年期待實(shí)現(xiàn)獲利。

IBM陣營(yíng)愈來(lái)愈壯大,除了三星電子(Samsung Electronics)、新加坡特許(Chartered)與全球晶圓(Global Foundries)以外,中芯國(guó)際也在45納米世代制程起加入,預(yù)料搭上這班技術(shù)的列車(chē),將會(huì)促使中芯追趕先進(jìn)制程的速度加快。目前中芯的45納米芯片已經(jīng)通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證,預(yù)料2009年底前正式投產(chǎn)。

中芯在日前首次舉辦的國(guó)際分析師日中表示,退出存儲(chǔ)器市場(chǎng)的策略不變,將全速邏輯IC制程世代挺進(jìn),其中45納米年底投產(chǎn)是重頭戲,而預(yù)計(jì)到了2010年 45納米若順利量產(chǎn)將可望挹注中芯國(guó)際營(yíng)收。目前90納米、0.13微米的先進(jìn)制程已經(jīng)占中芯國(guó)際營(yíng)收比重約45%,而0.18微米以下主流制程的比重約 55%。

中芯國(guó)際表示,來(lái)自北美客戶(hù)的訂單約60%,對(duì)于0.13微米先進(jìn)制程的需求依舊強(qiáng)勁;而相當(dāng)看好大陸本地客戶(hù)對(duì)于0.13微米先進(jìn)制程的需求,甚至還有供不應(yīng)求的狀況,在大陸內(nèi)地市場(chǎng),中芯國(guó)際不斷擴(kuò)張市占率,目前來(lái)自大中華地區(qū)的客戶(hù)比重已經(jīng)占營(yíng)收35%。

中芯國(guó)際24日也宣布,采用Virage Logic嵌入式一項(xiàng)多次可程序設(shè)(MTP)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器 (NVM) 解決方案,應(yīng)用于射頻識(shí)別(RFID)芯片之中。中芯表示,目前此IP正在0.18微米低漏電(LL)制程技術(shù)開(kāi)發(fā)中,能夠提供高性能射頻。

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