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[導(dǎo)讀]美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員利用氮化鎵(gallium nitride,GaN)材料做成的晶圓片,制造出一種內(nèi)含硅晶體管的芯片;雖然該種芯片大部分的晶體管仍是以硅制成,但其余的氮化鎵晶體管性能更高。 目前的研究人員試圖

美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員利用氮化鎵(gallium nitride,GaN)材料做成的晶圓片,制造出一種內(nèi)含硅晶體管的芯片;雖然該種芯片大部分的晶體管仍是以硅制成,但其余的氮化鎵晶體管性能更高。
目前的研究人員試圖將各種半導(dǎo)體材料混合,好讓單芯片能包含可能互補(bǔ)的不同功能;MIT電子電機(jī)與計(jì)算機(jī)科學(xué)系副教授Tomas Palacios與其研究團(tuán)隊(duì),成功地將硅與氮化鎵兩種材料混合制作出單晶圓片,而其技術(shù)突破也讓「混合式」芯片又更接近量產(chǎn)的實(shí)現(xiàn)。
不 同于其他研究人員在硅芯片上生成氮化鎵的方法,Palacios的團(tuán)隊(duì)制作出的混合式(Hybrid)芯片,是將一層氮化鎵嵌入同型態(tài)的硅基板中;而且這 種芯片能用標(biāo)準(zhǔn)的、制造商業(yè)硅芯片的晶圓廠制程來生產(chǎn)。據(jù)了解,這種混合式芯片不僅速度更快,效率也更高;其中有大部分的晶體管是以較不秏電的較低速度運(yùn) 作。
業(yè)界專家認(rèn)為,這種技術(shù)為「單芯片射頻系統(tǒng)」的實(shí)現(xiàn)提供了一條途徑,此外也可用以將雷射與電子組件結(jié)合在單一芯片上;或 者是在芯片里加入能量采集組件,能從周遭環(huán)境的壓力與震動(dòng)等產(chǎn)生足以讓硅組件運(yùn)作的電力。Palacios則表示,一支手機(jī)通常得用上4~5顆以不同半導(dǎo) 體材料制成的獨(dú)立芯片,而未來則有可能將所有手機(jī)所需功能整合在單芯片中。
到目前為止,該團(tuán)隊(duì)所研發(fā)的新技術(shù)制作出的芯片大小約為1平方英吋,研究人員正試圖在不犧牲質(zhì)量的情況下升級(jí)制程?!肝覀円呀?jīng)與數(shù)家公司洽談技術(shù)商業(yè)化,以及制造更復(fù)雜電路的可能性;」但Palacios強(qiáng)調(diào),此技術(shù)可能還需要數(shù)年時(shí)間才會(huì)上市。
(參考原文:MIT researchers build silicon/gallium nitride combo wafer,by Nicolas Mokhoff)



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