3D IC的全新架構(gòu)帶來(lái)極大改變，并非僅著眼于前端或后端制程執(zhí)行矽穿孔，關(guān)鍵在于晶圓代工廠、整合元件制造商(IDM)及封裝廠如何創(chuàng)造新的合作關(guān)系。在邏輯與記憶體晶片接合介面標(biāo)準(zhǔn)Wide I/O Memory Bus已于9月底塵埃落定，而加入的半導(dǎo)體成員達(dá)上百家下，如此將有助于加快廠商開(kāi)發(fā)時(shí)程，促使3D IC盡早展開(kāi)量產(chǎn)。

著眼于異質(zhì)晶片接合標(biāo)準(zhǔn)對(duì)推動(dòng)3D IC的重要性，在多家半導(dǎo)體廠共同組成JEDEC JC 11.2標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)，已快馬加鞭推動(dòng)邏輯與記憶體晶片接合的介面標(biāo)準(zhǔn)Wide I/O Memory Bus已在9月底確立。如此一來(lái)，能透過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的依循與協(xié)助，加快廠商開(kāi)發(fā)時(shí)程，促使3D IC盡早展開(kāi)量產(chǎn)。

臺(tái)積電已瞄準(zhǔn)3D IC蓄勢(shì)待發(fā)的商機(jī)積極搶攻，期借晶圓廠整合能力，將觸角伸及封裝領(lǐng)域，正積極發(fā)展3D IC架構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)矽穿孔(TSV)，并結(jié)合現(xiàn)有晶圓級(jí)封裝(WLP)與堆疊封裝(PoP)，打造完整的3D IC流程解決方案。

3D IC的生產(chǎn)流程須在前端晶圓代工制程進(jìn)行矽穿孔，或是在后端封裝廠才執(zhí)行，各家看法不一。從 晶圓廠立場(chǎng)來(lái)說(shuō)，在晶圓代工階段即導(dǎo)入矽穿孔制程，對(duì)晶片業(yè)者來(lái)說(shuō)較具競(jìng)爭(zhēng)力，因?yàn)榫A廠對(duì)整個(gè)晶片設(shè)計(jì)的掌握度較佳，且新投入? 』備成本較少，借以滿足客戶控管生產(chǎn)成本及加快產(chǎn)品上市時(shí)程的考量。此外，晶片走入更先進(jìn)制程后，拉高矽穿孔的技術(shù)門(mén)檻，封裝廠勢(shì)必要投入更多的設(shè)備，將提升成本，不符合客戶的成本考量。

臺(tái)積電積極拓展業(yè)務(wù)范疇，似乎已引起外界對(duì)侵蝕封裝廠商機(jī)的疑慮。對(duì)此，日月光認(rèn)為，這對(duì)晶圓代工產(chǎn)業(yè)而言，不只是再次肯定3D IC后段封裝測(cè)試的重要性，也意味著新一輪的賽局即將展開(kāi)，預(yù)期將影響3D IC晶圓代工產(chǎn)業(yè)與封測(cè)產(chǎn)業(yè)既有的競(jìng)爭(zhēng)與聯(lián)盟板塊，并促使晶圓代工、封裝、測(cè)試產(chǎn)業(yè)強(qiáng)化自身價(jià)值的差異化。

日月光指出，3D IC為未來(lái)晶片發(fā)展趨勢(shì)，供應(yīng)鏈將重新洗牌，將形成跨業(yè)整合的現(xiàn)象，例如整合半導(dǎo)體和微機(jī)電(MEMS)，以及基板與封測(cè)產(chǎn)業(yè)合作內(nèi)埋元件技術(shù)(Embedded)。此外，3D IC的全新架構(gòu)帶來(lái)極大改變，并非僅著眼于前端或后端制程執(zhí)行矽穿孔，關(guān)鍵在于晶圓代工廠、整合元件制造商(IDM)及封裝廠如何創(chuàng)造新的垂直合作關(guān)系。