半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）市場占上風(fēng)。但由于大型計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)，需要高性能DRAM的二十世紀(jì)八十年代，日本企業(yè)名列前茅。而進(jìn)入二十世紀(jì)九十年代后，高性能DRAM成為了浪費(fèi)品，反而小而貴的半導(dǎo)體深受歡迎。因此，大量生產(chǎn)PC用DRAM的三星電子瞬間超越日本企業(yè)。那么走進(jìn)智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)時(shí)代的如今，在節(jié)省電力的移動(dòng)式DRAM競爭中誰會(huì)取得最終勝利？
昨天在三星電子器興區(qū)華城舉辦的“20NANO級DRAM及Flash量產(chǎn)”活動(dòng)中再次驗(yàn)證了三星電子是內(nèi)存半導(dǎo)體的至尊?！耙恢焕匣ⅲㄈ请娮樱┖腿恍∝垼℉ynix、Elpida、Micron）”這一世界半導(dǎo)體生產(chǎn)結(jié)構(gòu)沒有改變。今年5月，排名世界第三的日本Elpida公布“世界最初25NANO DRAM7月量產(chǎn)計(jì)劃”，進(jìn)而讓全世界震驚。不過目前只生產(chǎn)出試用品，沒能動(dòng)搖三星電子18年的根基。另外，排名世界第二的Hynix要從明年初開始量產(chǎn)。
所謂20NANO是指半導(dǎo)體線路的線幅（電線間距）為20NANO米（1NANO米是10億分之一米）。線幅是頭發(fā)的4000分之一，真是令人難以想象。屬于尖端技術(shù)的10NANO級明年上市。過去，三星電子是以隨著美日企業(yè)大量生產(chǎn)兩國先開發(fā)的DRAM和NAND Flash提高理論。不過2006年是首次推出NANO DRAM，而且今年為止每年推出改善的產(chǎn)品，進(jìn)而主導(dǎo)世界市場。是從“追隨型”轉(zhuǎn)為了“引領(lǐng)型”。
半導(dǎo)體業(yè)界的習(xí)慣就是量產(chǎn)現(xiàn)代芯片之前開發(fā)下一代芯片。三星電子是開發(fā)了下下一代芯片，進(jìn)而作為引領(lǐng)者占上風(fēng)。今年由于DRAM價(jià)格下降，日本和臺灣企業(yè)考慮減產(chǎn)時(shí)三星電子會(huì)長李建熙還鼓勵(lì)了攻擊性投資。昨天在活動(dòng)現(xiàn)場，李會(huì)長表示：“要警戒半導(dǎo)體業(yè)界的強(qiáng)風(fēng)?！眹@PRAM(IBM)、RRAM（三星電子）、MRAM（Hynix）等引領(lǐng)下一代的半導(dǎo)體，日后將有一場驚心動(dòng)魄的戰(zhàn)爭。