爾必達、瑞晶及PSC的技術人員將會聚于該基地，合作開發(fā)40nm工藝、單元面積為4F2（F為設計規(guī)則）的DRAM技術?，F(xiàn)在爾必達正在量產的最尖端DRAM為45nm工藝產品，單元面積為6F2。合作開發(fā)的目的在于通過大幅改變單元結構等，在版圖設計上實現(xiàn)可謂終極的單元面積。爾必達還計劃把該基地開發(fā)的技術提供給該公司的代工廠商臺灣茂德科技和臺灣華邦電子。

以往爾必達主要在日本國內從事DRAM開發(fā)，而將臺灣定位于生產基地。爾必達指出在臺灣設立開發(fā)基地的好處有“容易在開發(fā)中滿足市場存在感日益增強的臺灣客戶的需求，容易確保優(yōu)秀的技術人員，容易降低人工費”（爾必達內存公關部）。至于將來是否打算把通用DRAM開發(fā)全部轉交給臺灣基地，該公司未明確表態(tài)。