PCM才是閃存之后真正的下一代存儲(chǔ)器技術(shù)
時(shí)間：2009-09-16 09:33:34
關(guān)鍵字：
PCM
存儲(chǔ)器
電流
應(yīng)用市場(chǎng)
手機(jī)看文章
掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章
[導(dǎo)讀]目前市場(chǎng)上的存儲(chǔ)器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）和新興的磁性存儲(chǔ)器（MRAM），那么MRAM會(huì)成為下一代存儲(chǔ)器嗎？有沒(méi)有可能未來(lái)市場(chǎng)上下一
目前市場(chǎng)上的存儲(chǔ)器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）和新興的磁性存儲(chǔ)器（MRAM），那么MRAM會(huì)成為下一代存儲(chǔ)器嗎？有沒(méi)有可能未來(lái)市場(chǎng)上下一代存儲(chǔ)器一統(tǒng)天下？
華中科技大學(xué)電子系教授繆向水在IIC-China 2009秋季展武漢站上說(shuō)，下一代存儲(chǔ)器技術(shù)既不是MRAM，也不是FeRAM，而是目前還正處于研發(fā)階段的相變存儲(chǔ)器（PCM）。他預(yù)測(cè)，商業(yè)化PCM產(chǎn)品要到2012年前后才可能出來(lái)，目前大量應(yīng)用的閃存發(fā)展到32nm節(jié)點(diǎn)后就到頂了，之后就將逐漸被PCM所取代。
FeRAM盡管已上市很多年了，但其應(yīng)用市場(chǎng)一直很有限，打不開(kāi)，這也從另一方面說(shuō)明了該技術(shù)的局限性。MRAM雖然比較新（已上市2-3年），但應(yīng)用市場(chǎng)也有限，規(guī)模也上不去。盡管這兩種存儲(chǔ)器都有很多超越閃存的優(yōu)點(diǎn)，但其市場(chǎng)表現(xiàn)說(shuō)明市場(chǎng)對(duì)這些新優(yōu)勢(shì)的需求不是那么迫切，閃存的低成本對(duì)市場(chǎng)更有吸引力。
MRAM的最大固有發(fā)展障礙是容量，由于位存儲(chǔ)是靠電流產(chǎn)生的磁性來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因此要實(shí)現(xiàn)大容量需要供給很大的電流，在越來(lái)越強(qiáng)調(diào)低功耗的今天，這一需求顯然是和市場(chǎng)大趨勢(shì)相違背的，因此MRAM不會(huì)成為下一代存儲(chǔ)器。
繆向水表示，目前Numonyx、英特爾和三星都在積極開(kāi)發(fā)PCM，他們誰(shuí)也不敢掉以輕心，因?yàn)檎l(shuí)在這場(chǎng)競(jìng)賽中輸了，誰(shuí)就要丟失整整一代存儲(chǔ)器市場(chǎng)。
華中科技大學(xué)電子系教授繆向水在IIC-China 2009秋季展武漢站上說(shuō)，下一代存儲(chǔ)器技術(shù)既不是MRAM，也不是FeRAM，而是目前還正處于研發(fā)階段的相變存儲(chǔ)器（PCM）。他預(yù)測(cè)，商業(yè)化PCM產(chǎn)品要到2012年前后才可能出來(lái)，目前大量應(yīng)用的閃存發(fā)展到32nm節(jié)點(diǎn)后就到頂了，之后就將逐漸被PCM所取代。
FeRAM盡管已上市很多年了，但其應(yīng)用市場(chǎng)一直很有限，打不開(kāi)，這也從另一方面說(shuō)明了該技術(shù)的局限性。MRAM雖然比較新（已上市2-3年），但應(yīng)用市場(chǎng)也有限，規(guī)模也上不去。盡管這兩種存儲(chǔ)器都有很多超越閃存的優(yōu)點(diǎn)，但其市場(chǎng)表現(xiàn)說(shuō)明市場(chǎng)對(duì)這些新優(yōu)勢(shì)的需求不是那么迫切，閃存的低成本對(duì)市場(chǎng)更有吸引力。
MRAM的最大固有發(fā)展障礙是容量，由于位存儲(chǔ)是靠電流產(chǎn)生的磁性來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因此要實(shí)現(xiàn)大容量需要供給很大的電流，在越來(lái)越強(qiáng)調(diào)低功耗的今天，這一需求顯然是和市場(chǎng)大趨勢(shì)相違背的，因此MRAM不會(huì)成為下一代存儲(chǔ)器。
繆向水表示，目前Numonyx、英特爾和三星都在積極開(kāi)發(fā)PCM，他們誰(shuí)也不敢掉以輕心，因?yàn)檎l(shuí)在這場(chǎng)競(jìng)賽中輸了，誰(shuí)就要丟失整整一代存儲(chǔ)器市場(chǎng)。
下載文檔本站聲明： 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀
穩(wěn)壓二極管是利用其反向擊穿時(shí)電流會(huì)急劇升高的特性進(jìn)行穩(wěn)壓，表現(xiàn)出此時(shí)的動(dòng)態(tài)電阻 Rz，也就是增加的 電壓除以增加的電流 ，所得到的比值比較小，這樣就會(huì)使得外部電壓的波動(dòng)對(duì)穩(wěn)壓二極管兩端電壓影響較小。
關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓二極管 動(dòng)態(tài)電阻 電流Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤(pán)以及主板 BIOS 中。
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器 嵌入式系統(tǒng)為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)單片機(jī)中的程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器以及二者的區(qū)別予以介紹。
關(guān)鍵字： 程序存儲(chǔ)器 指數(shù) 存儲(chǔ)器為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)隨機(jī)存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器以及二者的區(qū)別予以探討。
關(guān)鍵字： 隨機(jī)存儲(chǔ)器 指數(shù) 存儲(chǔ)器9月13-14日，中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)暨全球存儲(chǔ)器行業(yè)創(chuàng)新論壇（Global Memory Innovation Forum，GMIF2022）將在深圳市坪山格蘭云天國(guó)際酒店隆重召開(kāi)。
關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器
廠商專欄
熱門(mén)文章
- 王騰被小米突然辭退 網(wǎng)友擠爆雷軍評(píng)論區(qū)：后者淡定健身
- 曝5家中國(guó)車企在澳或面臨4700萬(wàn)重罰！
- 美國(guó)給芯片裝后門(mén)方法揭秘后！NVIDIA緊急暫停生產(chǎn)H20芯片
- 我國(guó)鋰電池大突破：能量密度和續(xù)航能力提高2-3倍 可量產(chǎn)
- 英偉達(dá)同意H20芯片在中國(guó)銷售額15%上交美國(guó)：我國(guó)回應(yīng)
- OpenAI王炸來(lái)了！GPT-5有望明天發(fā)布 免費(fèi)無(wú)限使用
- 周鴻祎談?dòng)ミ_(dá)芯片是否“留后門(mén)”：技術(shù)上很難判斷
- 稚暉君機(jī)器人公司否認(rèn)借殼上市 回應(yīng)：只是收購(gòu)了一家上市公司
- 新一代國(guó)產(chǎn)C86處理器9月見(jiàn) 兼容數(shù)百萬(wàn)款x86軟件
- 尊湃芯片竊密案宣判：創(chuàng)始人獲刑6年，華為勝訴！
編輯精選
更多
論壇活動(dòng)
更多
論壇熱帖
技術(shù)子站
更多
資料下載
更多
技術(shù)學(xué)院
- TrendForce集邦咨詢：受QLC產(chǎn)品熱度的外溢效應(yīng)驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)NAND Flash 4Q25價(jià)格將上漲5-10%
- TrendForce集邦咨詢: 十一長(zhǎng)假將至，LCD電視面板大廠計(jì)劃調(diào)降稼動(dòng)率穩(wěn)運(yùn)維
- TrendForce集邦咨詢：4Q25 DRAM價(jià)格延續(xù)漲勢(shì)，服務(wù)器需求提前發(fā)酵、舊制程產(chǎn)品漲幅仍較大
- 一文搞懂如何最大限度降低?uk穩(wěn)壓器的輻射
- PCB板層設(shè)計(jì)與電磁兼容性的關(guān)系解析
- 干貨分享！AC/DC與DC/DC轉(zhuǎn)換器的工作原理與應(yīng)用
- PCB板的類型匯總
- 盤(pán)點(diǎn)MCU 也需要AI的原因詳解
