據(jù)介紹,三維電子晶體的構(gòu)造是將微小的硅反射板立體的、整齊的排列在一起,具有可自由反射光并實時調(diào)節(jié)發(fā)光強弱的特性.不過這種新型材料以往制造起來十分麻煩,必須要使用特制的半導(dǎo)體制造儀器,并通過顯微鏡進(jìn)行人工精密制造.而以往要制造一個8層結(jié)晶、1厘米見方、2微米厚的晶體大約需要1個月左右的時間.

日本的研究小組使用了在原料硅板上放置金屬板,再用等離子依據(jù)金屬板上排列整齊的傾斜狀孔洞進(jìn)行挖掘的方法,大大節(jié)省了三維電子晶體的制造時間.利用這種新方法,制造一塊8層1厘米見方的晶體只需要4天至5天時間.研究人員稱,這種新工藝也將會大大促進(jìn)超小型光集成電路片等技術(shù)的進(jìn)步.