意法半導(dǎo)體和法國電子信息技術(shù)實驗室CEA-LETI宣布，法國經(jīng)濟(jì)、工業(yè)和就業(yè)部長，以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾（Grenoble）市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。

Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財政支持，旨在于創(chuàng)建世界最先進(jìn)的研發(fā)集群，開發(fā)新一代納電子級別的半導(dǎo)體技術(shù)，用于制造結(jié)構(gòu)尺寸大約為幾十納米（1納米等于十億分之一米）的芯片。

通過為歐洲企業(yè)提供從32nm一直到22nm的最先進(jìn)的具有競爭力的CMOS技術(shù)，Nano2012合作項目以及其它的世界領(lǐng)先的合作項目（如CATRENE）將對歐洲電子工業(yè)的持續(xù)增長做出重大貢獻(xiàn)。Nano2012項目始于2008年1月1日，預(yù)定到2012年12月31日告一段落，法國政府機(jī)構(gòu)為這個五年期項目提供部分資金。這個項目還有其它的參與者，包括INRIA（法國國家計算機(jī)科學(xué)與控制研究院）、CNRS（國家科研中心）、大學(xué)和多家中小企業(yè)。

意法半導(dǎo)體和CEA-LETI有很長的研發(fā)合作歷史。1992年，雙方首次合作建立Crolles研發(fā)中心。作為領(lǐng)先的研究實驗室，CEA-LETI是學(xué)術(shù)研究與以市場為導(dǎo)向的意法半導(dǎo)體工業(yè)研發(fā)之間長期的重要交流橋梁。2007年7月，意法半導(dǎo)體加入以IBM公司在紐約East Fishkill和 Albany的兩個研發(fā)中心為核心的半導(dǎo)體合作開發(fā)聯(lián)盟，這兩個中心開發(fā)32到 22nm的低功耗CMOS核心制程。同時IBM加盟意法半導(dǎo)體的Crolles研發(fā)中心，開發(fā)增值專用CMOS衍生技術(shù)。此外，在CMOS技術(shù)所需的材料和制程開發(fā)方面，CEA-LETI和IBM具有強(qiáng)大的實力和互補(bǔ)性的專業(yè)知識，雙方在CEA-LETI的格勒諾布爾（法國）分公司、IBM的 East Fishkill工廠（紐約）、意法半導(dǎo)體的 Crolles分公司（法國）以及Albany NanoTech研究中心（紐約）合作開發(fā) 22nm以及22nm以下的先進(jìn)制程。

自Nano2012項目于2008年1月啟動以來，意法半導(dǎo)體和IBM交換Crolles和East Fishkill兩地的研究人員，并在多個項目上與CEA-LETI的研究人員開展合作，包括32nm和28 nm CMOS核心制程和無線通信用45nm RF（射頻）衍生技術(shù)，和汽車電子與智能卡用65nm非易失性存儲器衍生技術(shù)。這些技術(shù)可降低現(xiàn)有通信設(shè)備、消費(fèi)電子、計算機(jī)和汽車電子的功耗，延長電池使用時間，提高性能，為終端用戶提供更多功能和實用性。

Nano2012項目的工作重點(diǎn)是為低功耗的專用CMOS衍生技術(shù)開發(fā)技術(shù)平臺。一個技術(shù)平臺包括把數(shù)十億支晶體管集成到一顆芯片內(nèi)所采用的制程，以及單元庫和利用這個制程高效設(shè)計尖端電路的設(shè)計方法。利用在Crolles和格勒諾布爾的世界一流的研發(fā)團(tuán)隊，意法半導(dǎo)體及合作伙伴已位居這個領(lǐng)域的世界前列，Nano2012的重要目標(biāo)之一是擴(kuò)大歐洲在此一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

增值專用衍生技術(shù)是標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的重要差異化技術(shù)，使位于Grenoble-Isere的研發(fā)集群在這個領(lǐng)域保持領(lǐng)先水平是Nano2012項目的另一重要目標(biāo)。