東芝公司發(fā)布新聞公報稱,三方將共同開發(fā)28納米工藝CMOS處理技術,該技術可用在高速傳輸大容量數(shù)據的下一代通信機器上。這項開發(fā)將在IBM位于美國紐約州的半導體工廠進行。
東芝和NEC電子分別于2007年12月和2008年9月加入了以IBM為核心的半導體開發(fā)陣營。兩家日本電子巨頭也互相開展合作,把從IBM陣營獲得的技術成果應用在量產的產品中。
業(yè)界普遍認為,半導體開發(fā)需要巨額投資,東芝和NEC電子強化與IBM的合作能夠減輕資金負擔,并提高開發(fā)效率。