ARM公司近日宣布，開(kāi)始向臺(tái)積電的40納米G制造工藝提供業(yè)界最完善的IP平臺(tái)。這一最新的、已通過(guò)流片驗(yàn)證的物理IP能夠滿足性能驅(qū)動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品的高成本效率開(kāi)發(fā)；這些產(chǎn)品要求在不提高功耗的前提下提供先進(jìn)的功能。這一平臺(tái)是為那些期望使用40納米工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)者設(shè)計(jì)的，能夠促進(jìn)更高水平的技術(shù)創(chuàng)新，同時(shí)保持性能驅(qū)動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品的功耗水平。這些消費(fèi)產(chǎn)品包括：磁盤驅(qū)動(dòng)器、機(jī)頂盒、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、高清電視以及圖形處理器。

通過(guò)多通道的邏輯庫(kù)，ARM平臺(tái)提供了非常高的靈活性。這些庫(kù)包括高性能和高密度標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，以及電源管理套件和ECO套件庫(kù)擴(kuò)展；后者主要用于解決亞微米設(shè)計(jì)中的漏電問(wèn)題。所有的多通道長(zhǎng)度庫(kù)（length libraries）在管腳封裝方面全部兼容，使得在標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)流程中進(jìn)行單元交換變得非常方便。通過(guò)以長(zhǎng)通道長(zhǎng)度設(shè)備（Long Channel Length Devices）取代或補(bǔ)充HVt、RVt或者LVt嵌入層，能夠極大地節(jié)省功耗和成本，提供更好的性能、更低的泄漏以及更低的制造成本。

此外，該平臺(tái)還包括嵌入式存儲(chǔ)器編譯器和接口IP，能夠滿足眾多對(duì)性能、功耗和面積的要求

ARM 40納米接口IP為SoC設(shè)計(jì)師提供了一組完善的通用I/O、專用I/O和DDR接口宏。接口IP在設(shè)計(jì)時(shí)被賦予先進(jìn)的可編程性，這使得它能夠在將ARM CPU與外部相連、從而實(shí)現(xiàn)多種SoC應(yīng)用的時(shí)候提供非常高的靈活性。這一接口IP中含有一些能夠被動(dòng)態(tài)控制的電源和泄漏節(jié)省模式，從而進(jìn)一步優(yōu)化整體的SoC功耗，并實(shí)現(xiàn)更好的電源配置細(xì)度。通過(guò)使用普通的ESD和電源導(dǎo)軌設(shè)計(jì)方法論，這一接口IP能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)縫的擴(kuò)充棧（pad ring）集成，并且顯著降低可靠性風(fēng)險(xiǎn)。ARM同時(shí)還提供業(yè)界領(lǐng)先的、高度集成的、全速的DDR PHY解決方案，以及對(duì)高速BIST和DFI支持，與專用I/O（例如LVDS物理接口）一起，支持靈活的存儲(chǔ)控制器的集成。

ARM物理IP部門執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Simon Segars表示：“ARM在同時(shí)開(kāi)發(fā)處理器IP和物理IP方面有著獨(dú)一無(wú)二的地位，使得這兩者能夠充分地互相補(bǔ)充，并縮短整體設(shè)計(jì)周期。我們通過(guò)在早期與領(lǐng)先的代工廠和EDA公司合作，進(jìn)一步提高了我們的技術(shù)，確保了一個(gè)強(qiáng)大的支持基礎(chǔ)架構(gòu)的存在，為設(shè)計(jì)師提供了一個(gè)低風(fēng)險(xiǎn)、經(jīng)流片驗(yàn)證、具有成本效率的設(shè)計(jì)戰(zhàn)略。通過(guò)我們與臺(tái)積電的戰(zhàn)略合作，我們能夠用制造工藝對(duì)物理設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，從而提供最理想的結(jié)果?！?/FONT>