Daasch預(yù)測(cè)，材料的變化及日益增加的器件的可變性將導(dǎo)致更多的統(tǒng)計(jì)測(cè)試。由于特征(尺寸)依據(jù)單個(gè)原子而變化，制造工藝將在基本CMOS器件中產(chǎn)生更多的缺陷。Daasch說(shuō)：“故障模式的數(shù)量與類型將會(huì)增加到這樣一個(gè)程度：我們看到的是不能輕易辨別物理原因的故障。”新型器件或許會(huì)存在固有的不可靠性，除非設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)工藝的可變性予以考慮并把測(cè)試整合到設(shè)計(jì)之中。

Daasch稱，業(yè)界正在形成不同的趨勢(shì)。硅缺陷水平將上升，而其結(jié)果導(dǎo)致的故障模型的增加會(huì)對(duì)測(cè)試成本造成壓力。與此同時(shí)，統(tǒng)計(jì)測(cè)試會(huì)導(dǎo)致測(cè)試數(shù)量及測(cè)試延續(xù)時(shí)間的減少。隨著缺陷的增加，測(cè)試將不得不解決對(duì)更快缺陷分類的需要。測(cè)試還必需反饋這些信息以使有關(guān)成品率和可靠性的補(bǔ)救努力成為可能。Daasch說(shuō)：“系統(tǒng)性缺陷將減少可接受的窗口?！?

統(tǒng)計(jì)測(cè)試構(gòu)架能扮演數(shù)據(jù)采集點(diǎn)的角色并幫助創(chuàng)建自適應(yīng)測(cè)試格式。從長(zhǎng)遠(yuǎn)看，自適應(yīng)測(cè)試將預(yù)示一個(gè)更富動(dòng)態(tài)的測(cè)試，這一測(cè)試將導(dǎo)致每一塊裸片有不同的測(cè)試結(jié)果。

下一代的設(shè)計(jì)將必需同時(shí)解決材料與設(shè)計(jì)測(cè)試的問(wèn)題。僅僅擴(kuò)展現(xiàn)有的實(shí)踐無(wú)法預(yù)見(jiàn)統(tǒng)一的“材料—設(shè)計(jì)—測(cè)試”工藝能克服面臨的問(wèn)題所帶來(lái)的挑戰(zhàn)，Daasch說(shuō)。

“設(shè)計(jì)進(jìn)度表需要改變并縮短，以便測(cè)試開發(fā)及非關(guān)鍵路徑的調(diào)試，”他說(shuō)，“否則，測(cè)試就會(huì)成為產(chǎn)品開發(fā)過(guò)程中最大的瓶頸?！?