英特爾透露，英特爾的研究人員開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù)，它將在高能效表現(xiàn)方面進(jìn)一步加強(qiáng)英特爾的領(lǐng)導(dǎo)地位。英特爾對(duì)新型的三門（或稱三維）晶體管的研發(fā)已經(jīng)進(jìn)入到針對(duì)量產(chǎn)的研發(fā)階段。由于這些晶體管大大提升了傳統(tǒng)晶體管的性能和能效，英特爾預(yù)計(jì)，在超越了45納米制程技術(shù)之后的某個(gè)時(shí)間，三門晶體管技術(shù)可能成為未來(lái)微處理器的基本建筑模塊。 　
 
      自從20世紀(jì)50年代晚期，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)它的朝陽(yáng)之后，平面型晶體管就被認(rèn)為是芯片的基本建筑模塊。隨著半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展到納米技術(shù)的縱深領(lǐng)域（尺寸小于100納米），一些晶體管的尺寸甚至只有幾層原子那么大，以前被認(rèn)為只能做成“平面”的器件，現(xiàn)在可以設(shè)計(jì)成三維的，從而提高性能表現(xiàn)和功耗特性。英特爾在大批量生產(chǎn)更小尺寸的芯片方面一直是行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，現(xiàn)在英特爾又發(fā)明了一種方法，把這些三維的或曰三門的晶體管與其他關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)結(jié)合起來(lái)，從而開(kāi)啟了高能效表現(xiàn)的一個(gè)新時(shí)代。  

       在英特爾未來(lái)的高能效表現(xiàn)方面，三門晶體管很可能會(huì)扮演一個(gè)至關(guān)重要的角色，因?yàn)槿T晶體管相比現(xiàn)在的平面型晶體管，不僅滲漏低得多，而且消耗的電能也會(huì)少得多。比起現(xiàn)在的65納米晶體管，集成的三門晶體管可以提升45%的驅(qū)動(dòng)電流（開(kāi)關(guān)速度）或者使關(guān)電流減小50倍，并使晶體管的開(kāi)關(guān)電能減少35%。性能的提升和功耗的減少，將使用戶在使用英特爾平臺(tái)的個(gè)人電腦和其他設(shè)備時(shí)，獲得更好的體驗(yàn)。

      在6月13日夏威夷火奴魯魯舉行的2006年超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)上，英特爾的技術(shù)專家將陳述一篇關(guān)于此項(xiàng)研究的技術(shù)論文。