2005年，得益于蘋果iPod的熱銷，閃存芯片產(chǎn)業(yè)得到前所未有的火爆。蘋果甚至以12.5億美元的高價(jià)與五大閃存廠商簽訂了未來(lái)幾年的閃存芯片訂單。受此影響，業(yè)者紛紛調(diào)整產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向閃存芯片的生產(chǎn)，也間接導(dǎo)致了DRAM內(nèi)存芯片的供應(yīng)量不足。

自2006年1月起，DDR2型DRAM內(nèi)存價(jià)格正在逐步回升。戴爾、惠普等大廠商增加了對(duì)DDR2產(chǎn)品的采購(gòu)量，從而導(dǎo)致產(chǎn)品供應(yīng)不足。采購(gòu)量的加大導(dǎo)致價(jià)格的回升，但分析預(yù)計(jì)這種狀況不會(huì)持續(xù)太久。2006年4月供應(yīng)不足的局面將有所緩解，而且可能導(dǎo)致價(jià)格暴跌。

　NAND型閃存和DRAM內(nèi)存之間價(jià)格浮動(dòng)關(guān)系密切。目前，排名第一第二的分別是三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體，均相同的生產(chǎn)線生產(chǎn)兩種內(nèi)存。第1季度DRAM和NAND型閃存所出現(xiàn)的價(jià)格波動(dòng)，就是因?yàn)閺S商降低了2005年第4季度價(jià)格下滑的DRAM內(nèi)存產(chǎn)品比例，而提高了NAND型閃存比例。

現(xiàn)代半導(dǎo)體盡管準(zhǔn)備控制NAND型閃存比例的上升，但繼續(xù)堅(jiān)持NAND型閃存，因?yàn)閮r(jià)格一降，需求就會(huì)增長(zhǎng)。美光科技也從06年起也采取了平衡生產(chǎn)兩種內(nèi)存的戰(zhàn)略，第1季度美光準(zhǔn)備提高NAND型閃存比例。三星準(zhǔn)備將部分生產(chǎn)線由NAND型閃存向DDR2型DRAM內(nèi)存方面恢復(fù)。因而只有三星的產(chǎn)能向DRAM內(nèi)存傾斜。其他臺(tái)灣和日本廠商也計(jì)劃增加DDR2的產(chǎn)量，因此，4月起DDR2內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)不足的局面將消除。如果閃存需求沒有增長(zhǎng)，價(jià)格持續(xù)下跌的話，現(xiàn)代和美光轉(zhuǎn)向DRAM內(nèi)存，那么DRAM內(nèi)存價(jià)格必將暴跌。