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三星調(diào)高閃存價格帶動內(nèi)存價格上升

時間：2007-08-13 11:00:00

關(guān)鍵字：三星內(nèi)存 BSP GB

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業(yè)界預測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。

　　在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。來自內(nèi)存模具廠的消息稱三星對MLC結(jié)構(gòu)的8GB、16GB和32GB NAND閃存的報價分別為9.5、18.5和35美金。而根據(jù)DRAMeXhcange的數(shù)據(jù)顯示，8月9日現(xiàn)貨市場8GB、16GB和32GB 的MLC NAND閃存最高報價分別為9.8、18.5和35.2美金。

　　業(yè)界指出，三星此次迅速調(diào)整報價是受到韓國工廠停工影響，同時，分析師認為三星此次調(diào)高報價是為了減小損失。業(yè)界其它同行則認為此次三星調(diào)高報價是由于07年上半年內(nèi)存業(yè)務(wù)利潤表現(xiàn)低于預期。他們認為三星并不會由于某間工廠停工而受到如此大影響。

　　DRAM內(nèi)存的現(xiàn)貨市場價格受三星影響也出現(xiàn)變化。力晶半導體在8月8日將512Mb 的DDR2 eTT內(nèi)存售價調(diào)高10%，達到2.4美金。

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