耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個毫秒就刷新一下,而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。
耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品,該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍,而功耗僅為DRAM的1/20,而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節(jié)點。
“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快,但尺寸和閃存一樣小,且更易微縮?!币敶髮W教授Tso-Ping Ma說道,“閃存在25nm節(jié)點會遇到障礙,但FeDRAM可隨CMOS工藝一同微縮至10nm以下。”
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