磁性隨機存儲器(MRAM)供應商Crocus Technology聲稱已開發(fā)出一種稱之為磁性邏輯單元(Magnetic Logic Unit,MLU)的技術，它可匹配其熱輔助磁性轉換(TAS)技術，除了儲存以外還可用于存儲器存取，開啟了使用在MRAM中實現(xiàn)類NAND(NAND-like)存儲器以及搜尋存儲器的可能性。

藉由開啟數(shù)據(jù)儲存、安全商業(yè)及通訊應用、網(wǎng)路處理以及汽車和工業(yè)等應用，Crocus聲稱，此一創(chuàng)新技術將可拓展磁性技術的市場。然而，該公司并未透露何時可量產或將推出何種容量的存儲器。

在高密度存儲器應用中，MLU開啟了一條可在磁性存儲器中實現(xiàn)類NAND配置的道路，MLU NAND存儲器可實現(xiàn)比傳統(tǒng)磁性存儲器高出2~4倍的密度，而且還具有完整的隨機存取優(yōu)勢，Crocus表示。

Crocus表示，其MLU技術可藉由設定一個通常固定于MRAM單元中的參考層磁化來整合三種模式。

Crocus的MLU XOR，稱之為地匹配(Match-In-Place)，它實現(xiàn)了比較和加密功能，可防止智能卡、身份證、SIM卡、近距離無線通訊(NFC)遭到篡改。Match-In-Place還實現(xiàn)了搜尋和比較功能所需的網(wǎng)路路由應用，可以實現(xiàn)比傳統(tǒng)CMOS硬體搜尋處理器更高出50倍的密度。此外，所有配置的MLU都能在高達200℃的溫度中正常運作，這使其成為汽車和工業(yè)電子產品的理想應用。

“在許多獨立和嵌入式存儲器產品中，MLU具有取代SRAM、DRAM、NAND、NOR和OTP的潛力，”Crocus公司執(zhí)行主席Bertrand Cambou說。“因為MLU的NOR、NAND和XOR功能是在單一晶片制程中使用不同的設計架構，他們能夠輕易地癥合到系統(tǒng)單晶片(SoC)中。”

MLU與Crocus目前的晶圓制程相容，Crocus正計劃采用Tower Semiconductor的130nm制程來量產基于MLU的產產品，另外，其俄羅斯子公司Crocus Nano MLU也正計劃使用90/65/45以及更小的幾何尺寸。