DRAM廠第3季財(cái)報(bào)陸續(xù)公布，在價(jià)格崩盤、減產(chǎn)導(dǎo)致出貨減少下，各廠第3季虧損金額都持續(xù)擴(kuò)大，南亞科和華亞科合計(jì)單季虧損將近新臺(tái)幣190億元，力晶第3季則虧損66.63億元，對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市，南亞科釋出悲觀訊息表示，近期泰國(guó)洪水問題影響到硬碟馬達(dá)龍頭廠日本電廠（Nidec），客戶對(duì)于11、12月訂單仍在評(píng)估中，最悲觀的情況是對(duì)2012年1、2月需求產(chǎn)生沖擊，讓DRAM市場(chǎng)更加疲軟。

南亞科2011年第3季自行營(yíng)收73.23億元，較上季減少約36%，營(yíng)業(yè)凈損98.2億元，稅后虧損119.63億元，以股本403億元換算，單季每股虧損2.97元；華亞科第3季營(yíng)收89.44億元，營(yíng)業(yè)損失約69.17億元，稅后虧損約70.22億元，單季每股虧損1.52元，其中第3季稅后虧損包含跌價(jià)損失約11.98億元。

力晶原本第2季虧損大幅縮小，但第3季在DRAM價(jià)格大跌、減產(chǎn)和減少出貨下，單季虧損幅度再度擴(kuò)大至66.63億元，換算每股稅后虧損1.2元；合計(jì)南亞科、華亞科、力晶3大DRAM廠第3季虧損高達(dá)256億元。

南亞科發(fā)言人白培霖表示，日前泰國(guó)洪水問題影響硬碟供應(yīng)鏈，尤其是市占率超過50%的馬達(dá)龍頭廠商日本電產(chǎn)的泰國(guó)廠飽受洪災(zāi)之傷，將影響到未來個(gè)人電腦（PC）和筆！記型電腦（NB）市場(chǎng)出貨情況，雖然客戶稱10月仍有庫(kù)存因應(yīng)，但11、12月狀況都還在評(píng)估，最糟的可能性是影響2012年1、2月出貨，因此對(duì)DRAM需求也會(huì)疲軟；再者，2011年第4季并沒有傳統(tǒng)需求的跡象。

南亞科第3季虧損擴(kuò)大，主要是因?yàn)槠涑鲐浟枯^第2季減少7%，DRAM平均售價(jià)受到崩盤影響而大跌32%，導(dǎo)致單季虧損逼近120億元；南亞科指出，已于7月正式導(dǎo)入30奈米制程技術(shù)作試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入量產(chǎn)，期望降低成本結(jié)構(gòu)。

展望第4季，南亞科預(yù)估位元成長(zhǎng)率（bitgrowth）將較第3季成長(zhǎng)5~10%，全年位元成長(zhǎng)率預(yù)估為55~60%；再者，2011年資本支出仍維持120億元，主要是添購(gòu)轉(zhuǎn)進(jìn)30奈米制程技術(shù)的機(jī)器設(shè)備；再者，南亞科日前為提升凈值，避免每股凈值轉(zhuǎn)負(fù)引發(fā)下市危機(jī)，因此宣布辦理150億股以內(nèi)的私募，預(yù)計(jì)于11月17日舉行臨時(shí)股東會(huì)，整起私募案寄望于11月底前完成。

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華亞科第3季每片晶圓所的晶粒數(shù)較第2季增加15%，但每片晶圓平均營(yíng)收則較上季減少21%，第3季晶圓出貨雖較上季成長(zhǎng)12%，但營(yíng)收仍是較上季減少12%。

華亞科已于9月初完成42奈米制程轉(zhuǎn)換，第3季位元出貨量為28%，在制程轉(zhuǎn)換帶動(dòng)下，晶片生產(chǎn)總成本減少16%；華亞科表示，預(yù)估2011年第4季位元出貨量將增加15~20%，全年位元出貨量預(yù)期將達(dá)130%。

再者，華亞科從8月中開始試產(chǎn)30奈米制程，預(yù)計(jì)2012年第1季將開始進(jìn)入量產(chǎn)30奈米4GbDDR3產(chǎn)品，目標(biāo)是在2012年中30奈米制程比重可達(dá)30%。

華亞科指出，2011年前3季已入帳資本支出為113億元，因42奈米制程轉(zhuǎn)換所需費(fèi)用較預(yù)計(jì)減少，且30奈米制程轉(zhuǎn)換規(guī)劃將暫時(shí)先不動(dòng)用華亞M廠（原亞美科技廠房），因此2011全年資本支出將由原本的170億元下調(diào)至120億元。

除了南亞科進(jìn)行募資之外，華亞科日前也規(guī)劃辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計(jì)發(fā)行11億股普通股，為轉(zhuǎn)進(jìn)30奈米制程做準(zhǔn)備。

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來源：[db:出處]

作者：tee