熟悉三星移動(dòng)設(shè)備的用戶，都知道Galaxy Note 3配置了3GB的機(jī)身運(yùn)行內(nèi)存（RAM），無論是多任務(wù)處理，還是應(yīng)用程序運(yùn)行都帶來很大的提升，但3GB RAM只是開始，三星目前已經(jīng)研發(fā)了首款8千兆位低功耗DDR4內(nèi)存芯片，也意味著移動(dòng)端將迎來4GB RAM運(yùn)行內(nèi)存容量。

新的8Gb低功耗DDR4移動(dòng)內(nèi)存將會(huì)使用LVSTL I/O接口（Low Voltage Swing Terminated Logic），而這也是三星與JEDEC合作制定的低功耗DDR4中的其中一項(xiàng)規(guī)范。

新款低功耗DDR4將能夠在每pin擁有高達(dá)3,200 Mbps的傳輸率，相較于目前20nm制程的低功耗DDR3，要快上2倍之多。另一方面，低功耗DDR4將會(huì)比現(xiàn)有的DDR3更省電，主要是其額定電壓為1.1V。

據(jù)三星官方介紹，這款產(chǎn)品將會(huì)在2014年內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)，適用于搭載Ultra HD屏幕的筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦。

明年的Galaxy Note 4很有可能搭載4G RAM。