我們已經(jīng)聽到太多關于TSMC在其40nm工藝上提升良率的難處,在這篇文章里,我從這些消息里進行揣測,并推斷出是什么原因阻止晶圓代工廠獲得可接受的良率。
最近,關于TSMC在40nm工藝的GPU生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的超級低的良率的傳言很多,這個傳言最初的來源是FBR Capital Markets的Mehdi Hosseini寫的一篇報告,而EE Times的編輯Mark LaPedus引用了Hosseini的說法,“我們相信良率低到了20%到30%”。兩家圖形芯片巨頭和其他TSMC的大客戶對該情況非常不滿意,而TSMC也不得不低聲下氣的承認了要在40nm提升良率“非常有挑戰(zhàn)性”。
根據(jù)這篇報告,Hosseini還推測張忠謀(Morris Chang)回歸晶圓廠參與日常工作主要是40nm工藝的低良率造成的,但其實并沒有人會懷疑蔡力行(Rick Tsai)博士在處理這種情況下的管理能力。這樣看來,這樣做最有可能的目的是消除市場的恐慌。
正如我的一個同事指出的,這是新的工藝下進行ASIC設計時出現(xiàn)的很自然的現(xiàn)象。雖然北電(Nortel)也出現(xiàn)了這樣的事情,但如果你報廢了你四分之三的產(chǎn)品,你還怎么做生意呢?看看北電現(xiàn)在的情況吧。當然,我只是開個玩笑,北電的管理層不需要那么多技術問題就能讓公司垮掉。
我的問題是:“在一個工藝節(jié)點成熟之前,一家無晶圓公司就貿(mào)然進入,他能獲得什么呢?”另一個消息可靠的同事說是Nvidia的客戶逼著Nvidia采用該工藝的,他們認為工藝節(jié)點的縮小將有助降低Nvidia的GPU的生產(chǎn)成本,也許今天不行但接下去一定行。當然,這些客戶并不理會,如果Nvidia等到TSMC可以提供更高的良率時再進入,這樣可以節(jié)約多少成本。
這與DigiTimes對Nvidia轉(zhuǎn)移到40nm工藝的報道不謀而合。Nvidia目前轉(zhuǎn)移到40nm的產(chǎn)品是只為OEM做的,他們自己品牌的產(chǎn)品會在遲一些的時候轉(zhuǎn)移過去。
但到現(xiàn)在為止還沒有人強調(diào)良率提升“挑戰(zhàn)”的可能的信息來源。經(jīng)過同事們的內(nèi)部投票和外部網(wǎng)絡包括LinkedIn的調(diào)查,主要的因素可以概括為下面四點:
e-SiGe 源極/漏極的采用 low-k互聯(lián)堆棧的力學穩(wěn)定性 粒子控制(Particle control) 孔柵(Via fences)粒子控制一直都是一個問題,所以那只是一個假設。我認識的人沒有誰能夠說清楚內(nèi)部的信息,所以也就無從得知。類似的,沒有人確切知道TSMC是不是首次采用了e-SiGe。
但對TSMC 40nm工藝制造的兩款完全不同的芯片的分析顯示,在后端制造上還是不一樣的。Semiconductor Insights高級工藝分析師Xu Chang已經(jīng)徹底地分析了Altera Stratix IV和Nvidia GPU兩款40nm芯片。這兩款TSMC制造的40nm產(chǎn)品因為應用的不同有細微的差別。Altera PFGA采用寬松的設計規(guī)范,采用更大的門長度和更厚的門氧化物。然而,該裸片體積差不多是GPU的三倍(大概400平方毫米),這增加了消除粒子失效的機會。更小的GPU設計性能更高,但結(jié)果是必須承受低良率的可能性。
Altera對于他們的Stratix FPGA的良率很滿意,所以你可以假設這相比Nvidia的產(chǎn)品要好得多。除了更大的PFGA裸片,良率還取決于Altera采用的不同的互聯(lián)方式。兩款器件都采用了TSMC 40nm平臺引入的low-k(ELK)介質(zhì),然而,Altera產(chǎn)品的互聯(lián)堆棧的整體布線采用了無摻雜氧化物的厚銅金屬,物理力量得到了增強。Altera的器件上層有六層采用無摻雜氧化物的互聯(lián),而Nvidia只有兩層。low-k電介質(zhì)相對比較弱,該問題在ELK上面會更遭一點。額外增加的穩(wěn)健的無摻雜氧化物上層有助于彌補FPGA下層的脆弱。
明顯的,Altera在工藝開發(fā)上與TSMC形成了緊密的合作。這表明了更高級的工藝發(fā)布時,需要所有的開發(fā)團隊——從設計到晶圓廠到封裝再到測試——進行更緊密的合作。當然,大部分FPGA的結(jié)構(gòu)都是重復的架構(gòu),這讓Altera和TSMC的工程師能夠合作優(yōu)化相關的小電路模塊。盡管更復雜了,但可編程的邏輯模塊讓人覺得與大規(guī)模的SRAM陣列十分相似。新的處理器的產(chǎn)業(yè)標準演示平臺已經(jīng)可以在該處理器問世一年前在“真實的”電路上實現(xiàn)。
在LinkedIn網(wǎng)站上,有一個Semiconductor Insights的工藝分析咨詢板塊,一位SI的老同事Kevin Gibb評論到,“在這個級別下,英特爾在他們的90nm和65nm節(jié)點已經(jīng)經(jīng)歷過,晶體管在關閉狀態(tài)的高泄露電流必須得到考慮。因此我考慮的是門級泄露電流,基板的漏極擴散,和通道泄露電流。”
真的,我只是在講述一些可能性。我并不是說我已經(jīng)得出結(jié)論,但力學穩(wěn)定性看起來與其他因素一樣重要。如果你不同意或是有別的看法,請展開討論。如果寫東西太麻煩了,你可以立即參與我在LinkedIn上的投票。
FPGA行業(yè)的經(jīng)濟狀況不比GPU差,賣給OEM的FPGA比賣給復雜的PC系統(tǒng)的顯卡芯片還要多。盡管因為定價因素Altera可能會失去更多的芯片,但他們的生意比Nvidia做的好。
真正的問題是GlobalFoundries(AMD拆分出的獨立晶圓廠)怎樣才能得到好處?AMD(ATI產(chǎn)品線)在TSMC的40nm晶圓上獲得的結(jié)局與Nvidia差不多。因為AMD與GlobalFoundries的緊密關系,和失去晶圓代工先機的危險,TSMC的銷售人員也許會給AMD提供更好的出價,或者也許Nvidia也會從GlobalFoundries買晶圓。這是聰明的Nvidia不會排除的方案。
作者Don Scansen,SemiSerious博客的作者,是Semiconductor Insights的技術分析師,他是注冊專業(yè)工程師并是IEEE的高級會員。