在最近舉行的臺(tái)積電2011技術(shù)討論會(huì)上，臺(tái)積電正式公布了業(yè)內(nèi)首款號(hào)稱專門為智能手機(jī)/平板電腦應(yīng)用優(yōu)化的芯片制程工藝，這款新制程工藝將成為臺(tái)積電28nm制程工藝的新成員，其代號(hào)則為28HPM（高性能移動(dòng)設(shè)備用制程），據(jù)臺(tái)積電研發(fā)部門的高級(jí)副總裁蔣尚義表示，該制程專為智能手機(jī)，平板電腦相關(guān) 的產(chǎn)品優(yōu)化。

另有報(bào)道指28HPM制程推出的一個(gè)主要目標(biāo)是蘋(píng)果公司的產(chǎn)品，此前一直有傳言稱臺(tái)積電將為蘋(píng)果代工A5處理器的未來(lái)型號(hào)產(chǎn)品.

當(dāng)然，臺(tái)積電可能也考慮了其它在智能手機(jī)/平板電腦應(yīng)用領(lǐng)域的合作伙伴，如Nvidia，高通等。當(dāng)記者詢問(wèn)蔣尚義該制程是否專為某家客戶量身定做時(shí)，蔣僅回答稱該制程是為基于ARM處理器架構(gòu)的處理器產(chǎn)品而推出的。

算上28HPM之后，目前為止臺(tái)積電在28nm節(jié)點(diǎn)一共有四種不同的制程，分別是：

1-代號(hào)為CLN28LP（簡(jiǎn)稱28LP）的制程，該制程仍采用傳統(tǒng)的SiON柵絕緣層技術(shù)；

2-代號(hào)為CLN28HPL（(簡(jiǎn)稱28HPL）的制程，該制程采用臺(tái)積電第一代HKMG技術(shù)，為低功耗制程；

3-代號(hào)為CLN28HP（簡(jiǎn)稱28HP）的制程，該制程同樣采用臺(tái)積電第一代HKMG技術(shù)，為高性能制程；

4-代號(hào)為CLN28HPM（28HPM）的制程，該制程同樣采用臺(tái)積電第一代HKMG技術(shù)，主要面向智能手機(jī)/平板電腦產(chǎn)品，為采用了ARM架構(gòu)的處理器優(yōu)化，可適用于運(yùn)行頻率在1.8GHz以上，功耗在440mW水平的產(chǎn)品。與其它幾種臺(tái)積電的28nm制程類似，該制程的核心電壓為0.9V，支持1.8/2.5V兩種電壓級(jí)別的I/O電壓，計(jì)劃今年第四季度進(jìn)行生產(chǎn)。

另?yè)?jù)蔣尚義表示，臺(tái)積電的HKMG制程已經(jīng)通過(guò)了 可靠性驗(yàn)證，并已經(jīng)向兩家客戶發(fā)送了原型樣件。他并否認(rèn)了先前外界預(yù)測(cè)的臺(tái)積電HKMG制程（臺(tái)積電將在28nm節(jié)點(diǎn)推出其首代HKMG制程技術(shù)）將延后推出的說(shuō)法，并稱臺(tái)積電將如期推出有關(guān)的制程技術(shù)。

臺(tái)積電在會(huì)上還再次聲明，在28nm之后，臺(tái)積電將推出幾種20nm制程，包括CLN20G(20nm通用制程)以及CLN20SOC兩款，均基于臺(tái)積電第二代HKMG制程，其中CLN20G定于2012年第四季度試產(chǎn)，而CLN20SOC則定于2013年第二季度試產(chǎn)。