最新的合作推出了15款基于中芯國際40納米低漏電（40LL）工藝技術的Synopsys? DesignWare?知識產(chǎn)權（IP），可使設計師更容易地將各項功能集成到先進的低功耗SoC之中

經(jīng)過驗證的接口物理層IP包括：PCI Express ?、USB和DDR，有助于SoC設計師確保與各種最新標準交互和實現(xiàn)。

高品質(zhì)的模擬IP包括：音頻編解碼器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，能夠幫助設計師滿足對于低功耗和特殊應用SoC的要求。

運用中芯國際40LL工藝的嵌入式存儲器和邏輯庫，可使設計團隊在速度和能效上優(yōu)化整個系統(tǒng)級芯片的設計。

全球領先的電子器件和系統(tǒng)設計、驗證和制造軟件及知識產(chǎn)權（IP）供應商新思科技公司（Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場代碼：SNPS）和中國最大、最先進的半導體代工企業(yè)中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”， 紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)合交易所股票代碼：981）今日宣布：從即日起提供一套豐富的、應用于中芯國際40納米低漏電（40LL）工藝的DesignWare IP。

中芯國際的40LL工藝技術結合了先進的浸沒式光刻、應變工程、超淺結和超低k介質(zhì)等技術，以便為移動多媒體和消費電子設備提供優(yōu)化的功耗和性能。

通過提供應用于中芯國際先進低功耗工藝的多樣化的和經(jīng)過驗證的IP，新思科技和中芯國際將使設計師能夠以更小的風險和更短的上市時間在其系統(tǒng)級芯片上集成更多的功能。自2005年以來，通過新思科技與中芯國際的合作，新思科技帶來了一個豐富的IP產(chǎn)品組合，可支持中芯國際從0.13微米到40納米的工藝技術。

現(xiàn)在已可提供的或計劃將于今年晚些時候提供的、用于中芯國際40LL工藝的新思科技DesignWare IP包括：

面向各種被廣泛應用的協(xié)議的接口IP，如USB 2.0/3.0、PCI Express 2.0/1.1、MIPI、SATA、DDR以及HDMI，可以降低兼容性風險。

專為各種高性能、低功耗應用而優(yōu)化的音頻編解碼器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器IP。

可使設計師在整個系統(tǒng)級芯片上同時實現(xiàn)高速度和低功耗的嵌入式存儲器和邏輯庫。

“對于那些為中國和全球多媒體消費電子產(chǎn)品設計SoC的公司來說，獲得一系列能應用于一種高性能、低功耗工藝技術的、經(jīng)過硅驗證的、多樣化的IP產(chǎn)品至關重要。”中芯國際商務長季克非說，“我們與新思科技的合作可以為針對消費電子市場的設計師提供一條行之有效的路徑，直接通向立足于先進工藝節(jié)點之上的、多樣化并且技術領先的IP。新思科技的DesignWare USB、HDMI和音頻編碼解碼器的一次流片成功，同時所有關鍵性能指標達到、甚至超過目標規(guī)范，體現(xiàn)了中芯國際40LL技術的穩(wěn)定性和成熟性。”

“我們與中芯國際的長期合作使我們能夠為系統(tǒng)級芯片設計師提供優(yōu)化的、可在一系列工藝上廣泛適用的IP，諸如USB、PCI Express 和DDR等一系列用途廣泛的接口協(xié)議，以及諸如邏輯庫和嵌入式存儲器等基本單元。”新思科技IP和系統(tǒng)營銷副總裁John Koeter說，“此外，我們從0.13微米到65納米的一系列IP都有成功投片的良好記錄。將我們可以提供的IP擴展到中芯國際的40LL工藝，將使設計師能以更低的風險充分利用中芯國際先進的低漏電工藝技術集成高品質(zhì)的IP。”

供貨

新思科技現(xiàn)已提供的、用于中芯國際40LL工藝的DesignWare IP包含：DesignWare USB 2.0 picoPHY、HDMI 1.4 TX PHY、DDR multi PHY、MIPI D-PHY、PCI Express 2.0/1.1 PHY、SATA 1.5Gb/s/3Gb/s PHY、SATA 6Gb/s PHY以及精選的音頻編解碼器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器IP。可向早期采用者供貨的IP包括：DesignWare USB 3.0 PHY、HSIC PHY、應用于 LTE 和Wi-Fi的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和 模擬前端（AFE），以及嵌入式存儲器和邏輯庫IP。DesignWare HDMI RX PHY和DDR3/2 PHY IP計劃于2012年四季度開始供貨。