臺積電近日宣布，新的6nm工藝將對現(xiàn)有的7nm技術進行重大改進，同樣擁有極紫外光刻(EUV)工藝，可以快速過渡并快速投產(chǎn)。

EUV是一種用于芯片生產(chǎn)的技術，目前正處于7nm+工藝的試驗階段。6nm工藝預計將在2020年第一季度進入風險生產(chǎn)階段，這為其應用于未來的A系列芯片提供了機會。早前媒體報道稱顯示，臺積電將在今年第二季度末開始7nm EUV工藝量產(chǎn)，其中麒麟985以及蘋果A13處理器將會首先采用7nm EUV工藝。

而6nm EUV工藝主要為2020年的A14等芯片做好準備。同時，臺積電也5nm制程已經(jīng)完成研發(fā)，據(jù)悉，6nm和5nm都有可能應用于蘋果2020年iPhone的A14系列芯片中，主要看哪一個方案更優(yōu)。

臺積電的制程工藝命名比較有意思，6nm工藝(N6)聽上去好像比7nm先進了一代，不過它實際上是基于現(xiàn)有的7nm工藝改進的，有點類似16nm到12nm工藝的改進，臺積電表示他們利用了7nm到7nm EUV工藝的經(jīng)驗及技術，使得N6工藝的邏輯密度提升了18%，設計方法與7nm工藝完全兼容，所以可以快速過渡到N6工藝上的，上市時間更快。

與7nm工藝相比，6nm工藝主要提升了18%的邏輯密度，也就是說單位面積上的晶體管數(shù)量更多，或者說同樣的晶體管數(shù)量下核心面積會更小，因此6nm工藝具備更好的成本優(yōu)勢，同時性能、功耗優(yōu)勢與7nm工藝保持相同。

臺積電預計在2020年Q1季度試產(chǎn)6nm工藝，主要針對中高端移動芯片、AI、5G、消費級產(chǎn)品、GPU等等。

在臺積電宣布6nm工藝的同一天(16日)，三星也發(fā)布新聞稿宣布，完成極紫外光刻(EUV)技術的5nm制程研發(fā)，相較于7nm制程，面積縮小25%、耗電減少20%、性能提升10%，5nm制程還能使用7nm設計IP，借此幫助客戶減少5nm設計費用。

臺媒報道指出，臺積電早于三星宣布完成5nm制程研發(fā)，預計在今年第2季進行試產(chǎn)，而三星急起直追，根據(jù)目前全球晶圓代工市占率，三星第1季已經(jīng)提升至19.1%，但與臺積電的48.1%相比仍被甩在身后，三星能否在先進制程競爭中返回一局，還得看質量如何。已經(jīng)領跑的臺積電則卡在三星5nm之后迅速推出可以更快投入市場的7nm EUV加強升級版——6nm EUV工藝，無疑是打算跟三星杠到底了。