在晶圓代工龍頭臺積電日前的法說會中，臺積電表示，目前7納米制程產能幾乎滿載，而且未來5納米制程也依照計劃順利進展的情況下，看好未來因5G與AI商機所帶來的發(fā)展。

事實上，臺積電除了7納米與5納米的發(fā)展情況積極之外，更加先進的3納米制程也同樣發(fā)展順利，而且已經有相關的早期客戶參與其中，這將使得臺積電在先進制程為持續(xù)維持領先的位置。

根據(jù)外媒《anandtech》的報導，由于3納米制程目前仍在研發(fā)中，使得其相較于5納米制程的優(yōu)勢與具體生產流程目前都尚未公布。不過，臺積電指出，目前的技術開發(fā)進展順利，而且已經就電晶體各項的結構進行了評估，可以使得客戶在未來獲得最佳的方案，而且已經有早期的客戶開始接觸，甚至參與其中。

日前，在臺積電法說會上，總裁魏哲家就指出，希望3納米制程未來能進一步延續(xù)及擴展臺積電的領先地位。

目前臺積電主要競爭對手三星也宣布將在3納米制程上推出全新的GAA(Gate-All-Around)技術，號稱能降低使用能耗、縮小面積，提高效能，并且預計在2021年正式量產。因為三星預定的量產時間幾乎與臺積電相同，這使得臺積電與三星的競爭，將從當前的7納米制程，延續(xù)到未來的3納米制程上。

而對于這樣的情況，臺積電先前也曾表示，從7納米到5納米，再到未來的3納米，臺積電在每一個節(jié)點是全節(jié)點的提升，不同于競爭對手每一個節(jié)點都僅是部分性能的優(yōu)化而已，并非全節(jié)點的性能提升。因此，對于未來3納米制程上的競爭，臺積電對于自己的技術競爭力仍是信心滿滿。

報導進一步表示，對于臺積電的3納米制程，目前可以確定的將是深紫外光(DUV)及極紫外光(EUV)兩種微影技術共同使用的情況。由于在5納米制程上臺積電使用了14個EUV層，預計未來3納米將采用數(shù)量更多。而因為臺積電目前對于使用EUV狀況感到滿意的情況下，未來EUV技術仍未扮演其關鍵的角色。