兩年前就有行業(yè)分析師預計，印度電子產(chǎn)品制造的增長速度將是全球增長速度的5倍。如今，具備人才、技術和資金的印度廠商將首先在太陽能電池領域發(fā)力，雄心勃勃的“印度象”要成為全球太陽能電池產(chǎn)業(yè)的主要參與者。

印度的電子產(chǎn)品制造業(yè)日趨活躍，涉及的領域包括LSI(大規(guī)模集成電路)、PDP(等離子顯示器)、液晶面板、太陽能電池等。其中，太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展最為迅猛，新老太陽能電池廠商競相擴大生產(chǎn)規(guī)模。擁有人才、技術、資金，并且具備“速度”的印度不久之后將成為世界太陽能電池領域的新生力軍。

印度SolarSemiconductor(太陽能半導體)的創(chuàng)始人蘇拉帕尼稱：“現(xiàn)在，機會不在美國，而在印度?！边^去流向美國等地的優(yōu)秀人才開始回歸印度，印度各大學的畢業(yè)生也選擇留在印度。目前，印度已經(jīng)具備了制造太陽能電池所需的部件和基礎設施。為了充分利用在其他領域賺取的雄厚資金，越來越多的印度企業(yè)打算涉足太陽能電池產(chǎn)業(yè)。這些企業(yè)的高層多為大型企業(yè)集團創(chuàng)始人的第二代，他們的特點是投資判斷速度快。人才、技術、資金，再加上速度，印度太陽能電池廠商雄心勃勃。

新老廠商激戰(zhàn)太陽能電池

2007年，印度多家新太陽能電池廠商開始量產(chǎn)，原有廠商也開始采取行動增加產(chǎn)量。

印度科學普及協(xié)會稱，印度2007年的太陽能電池模塊年產(chǎn)量為80MW，預計2012年為350MW，2022年為3GW。但實際上，印度的太陽能電池增產(chǎn)速度遠遠超過這一預測。

印度的太陽能電池廠商中，勢頭最為強勁的3家是塔塔BP、MoserBaer(摩斯巴爾)、信實工業(yè)。其中，印度塔塔BP太陽能公司創(chuàng)建于1989年，是一家老牌太陽能電池廠商。該公司計劃在2010年之前，使目前50MW的年產(chǎn)能力增加到300MW。與其相比，印度MoserBaer光電公司是2007年春季投產(chǎn)的新廠商。該公司制定了宏偉的計劃：在2010年之前，把目前40MW的年產(chǎn)能力提高到500MW。印度信實工業(yè)集團是印度最大的企業(yè)集團，目前正在印度西部的古吉拉特邦為制造太陽能電池進行準備。

此外，由留美歸國技術人員創(chuàng)辦的So-larSemiconductor、老牌廠商之一印度MaharishiSolarTechnology(馬哈利斯太陽能技術)等太陽能電池廠商也計劃增產(chǎn)。

毫無疑問，一場新老廠商激戰(zhàn)的太陽能電池競爭已經(jīng)在印度展開。同樣，在其他電子元器件方面，受到歐美廠商技術支援的多家企業(yè)已計劃投產(chǎn)LSI，PDP也已開始少量試制，而對于液晶面板，印度的本土廠商正在考慮進行本地化制造。如果使用無塵廠房和真空工藝的太陽能電池產(chǎn)業(yè)崛起的話，印度的FPD(平板顯示器)和LSI等電子元器件的制造基礎將更加完善。

SunFab備受關注

在印度太陽能電池廠商之中，全球的業(yè)內人士目前最關注的是MoserBaer光電公司。該公司正在新德里郊外的諾伊達為利用2.2m×2.6m大型玻璃底板生產(chǎn)薄膜硅太陽能電池進行準備。MoserBaer光電公司使用美國應用材料公司(AppliedMaterials)的SunFab薄膜硅太陽能電池生產(chǎn)線。
SunFab包括了制造太陽能電池所需的全部設備，屬于完整解決方案。MoserBaer光電公司是全球第一家采用SunFab的廠商，因此，其成功與否備受關注。
如果SunFab這類完整解決方案獲得成功，擁有龐大資金的非太陽能電池生產(chǎn)企業(yè)也將能夠輕松制造薄膜硅太陽能電池。2.2m×2.6m大型底板存在著大幅降低太陽能電池制造成本的可能性，倘若MoserBaer光電公司的SunFab薄膜硅太陽能電池生產(chǎn)線成功投產(chǎn)，印度太陽能電池的勢力版圖將被徹底改變。

在眾多業(yè)內人士的關注下，SunFab薄膜硅太陽能電池生產(chǎn)線的設備安裝正在一線穩(wěn)步推進。應用材料公司派出了約100名技術人員。目前，設備安裝已經(jīng)過半，該設備的配置與應用材料公司公布的SunFab概念圖相同。決定SunFab成敗的等離子CVD(化學氣相沉積)設備也已安裝完畢，并接通了電源，MoserBaer光電公司稱，即將開展玻璃底板的搬運測試。為了配合這條生產(chǎn)線的建設，該公司已經(jīng)建設了新的自發(fā)電設備，如今萬事俱備，只待投產(chǎn)了。

如果薄膜硅太陽能電池生產(chǎn)線建成投產(chǎn)，MoserBaer光電公司的薄膜硅太陽能電池年產(chǎn)能力將達到40MW。雖然受大雨影響，廠房建設時間延長，但MoserBaer光電公司的生產(chǎn)線的安裝和調試還是如期進行。如果能夠通過采用串聯(lián)結構提高轉換效率，該公司的年產(chǎn)能力還有可能增至60MW。

此外，MoserBaer光電公司在2008年3月底之前，把結晶硅太陽能電池的年產(chǎn)能力從40MW提高到了80MW。目前，該公司正在通過改造結晶硅電池生產(chǎn)線，使其從支持125毫米見方底板轉變?yōu)橹С?50毫米見方底板，并通過增加處理時間較長的熱處理設備的數(shù)量為增產(chǎn)做準備。

另外，該公司還計劃走出目前的諾伊達制造基地，在印度南部的欽奈建設制造基地。欽奈基地將以生產(chǎn)薄膜硅電池為主，預定于2009年投產(chǎn)。屆時，欽奈將成為一個規(guī)模龐大的太陽能電池生產(chǎn)基地。該公司總裁兼首席技術官認為，與夏普的太陽能電池制造基地相比，可以說“諾伊達相當于葛城，欽奈相當于市”。葛城和市都是夏普的薄膜硅太陽能電池生產(chǎn)基地。為了配合增產(chǎn)計劃，MoserBaer光電公司還在增加技術人員。除了從生產(chǎn)光盤的母公司抽調大量技術人員外，該公司還陸續(xù)雇用了任職于印度老牌太陽能電池廠和歐美企業(yè)的印度裔技術人員。

制造設備本土化

2007年8月剛剛投產(chǎn)模塊的SolarSemiconductor也計劃增產(chǎn)。雖然投產(chǎn)時的年產(chǎn)能力已經(jīng)達到了30MW，但是由于需求量非常大，該公司決定在2008年一舉把生產(chǎn)能力提高到130MW，并在現(xiàn)有工廠所在地印度中部的海得拉巴(Hyderabad)購置了新的工廠用地。

SolarSemiconductor的主要市場在北美和歐洲，因此，該公司還計劃在毗鄰北美市場的墨西哥建設新工廠。墨西哥工廠的模塊年產(chǎn)能力為60MW，供貨于2008年中期開始。除北美和歐洲外，該工廠產(chǎn)品的銷路還將拓展至南美。SolarSemiconductor目前把模塊生產(chǎn)作為業(yè)務中心，目的是在短期內樹立品牌。為了進一步擴大規(guī)模，該公司今后還將涉足模塊以外的業(yè)務。 [!--empirenews.page--]

不只是資金雄厚的新企業(yè)加速增產(chǎn)，老牌太陽能電池廠商的態(tài)度也頗為積極。
塔塔BP太陽能公司預定于2010年使年產(chǎn)能力達到300MW，而1999年創(chuàng)建的MaharishiSolarTechnology也將把生產(chǎn)能力從現(xiàn)在的2.5MW提高到40MW。
MaharishiSolarTechnology目前正在欽奈工廠進行從晶圓、單元到模塊的生產(chǎn)。除此之外，為了彌補硅材料的不足，該工廠還將投產(chǎn)多晶硅材料。2008年年底之前，該公司將建成年產(chǎn)能力為100噸的多晶硅材料生產(chǎn)設備，屆時，單元和模塊的年產(chǎn)能力將增至40MW。為配合增產(chǎn)，MaharishiSolarTechnol-ogy將陸續(xù)提高單元和模塊的生產(chǎn)能力。此外，與薄膜硅太陽能電池相關的計劃也在制定之中。目前，該公司正在與應用材料等制造設備廠商進行協(xié)商。

作為太陽能電池等電子元器件制造的基石———制造設備廠商也一直在積蓄力量。印度的制造設備廠商HHV自1965年創(chuàng)立以來，以真空裝置為中心，多次填補了印度制造設備的空白。其中，主要的太陽能電池制造設備有1997年的太陽能電池模塊層壓機、2001年的薄膜硅太陽能電池試制裝置和2005年的磁控管濺射器等。

HHV還于2008年開辟了新業(yè)務，即應用材料公司和愛發(fā)科推進的太陽能電池生產(chǎn)線一攬子供應業(yè)務。HHV提供的年產(chǎn)7MW的薄膜硅太陽能電池生產(chǎn)線，價格為750萬～800萬美元，不到其他制造設備廠商價格的一半。

此薄膜硅太陽能電池生產(chǎn)線中的層壓機、等離子CVD裝置和磁控管濺射器，都由HHV公司自行制造，而清洗裝置、激光劃片裝置則計劃由其他印度企業(yè)的OEM(原始設備制造商)提供。

為了彌補以往在薄膜硅太陽能電池領域的不足，HHV于2007年12月成立了薄膜硅太陽能電池制造子公司，子公司將在HHV總部及工廠所在地班加羅爾建設太陽能電池工廠，投產(chǎn)日期預定為2008年9月。

編輯： 荒原