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日本東北大學(xué)開發(fā)10μm間距封裝的各向異性導(dǎo)電膜

時間：2008-11-19 05:23:48

關(guān)鍵字：封裝端子元件 AC

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[導(dǎo)讀] 日本東北大學(xué)的中川勝教授等，開發(fā)出了用于連接液晶顯示器等的顯示元件和驅(qū)動元件，封裝間距縮小為以往的1/4即10μm的各向異性導(dǎo)電膜（ACF）?？蓪崿F(xiàn)顯示元件的小型化和高精細(xì)化。該導(dǎo)電膜是將自主開發(fā)的兼具磁性

日本東北大學(xué)的中川勝教授等，開發(fā)出了用于連接液晶顯示器等的顯示元件和驅(qū)動元件，封裝間距縮小為以往的1/4即10μm的各向異性導(dǎo)電膜（ACF）?？蓪崿F(xiàn)顯示元件的小型化和高精細(xì)化。

該導(dǎo)電膜是將自主開發(fā)的兼具磁性及導(dǎo)電性的棒狀鎳管用作導(dǎo)電性填充物而實現(xiàn)的。該鎳管的平均長度為3μm，平均寬度為0.4μm。

以往的ACF，是將導(dǎo)電性填充物分散在熱硬化性高分子樹脂中，導(dǎo)電性填充物采用鎳粉末及均勻球形的包金高分子微粒子。在兩個端子之間插入ACF，通過加熱壓接，實現(xiàn)相對端子之間的導(dǎo)電連接，相鄰端子之間的絕緣。間距和導(dǎo)電性填充物相互依存，東北大學(xué)表示，此前采用包金微粒子封裝時，最小間距約為40μm，存在加熱及冷卻過程中存在應(yīng)力變形以及元件受到熱影響等問題。

所以，此次開發(fā)了金包覆外周以降低體積抵抗率的鎳管。并用作導(dǎo)電性填充物。該導(dǎo)電性填充物來源于鎳磷合金（Ni-P）中鎳的晶體結(jié)構(gòu)（面心立方結(jié)構(gòu)）并顯示出磁特性，因此可實現(xiàn)磁場控制。另外，此次還發(fā)現(xiàn)，采用光硬化型高分子樹脂時，可使用光硬化時體積收縮率較小的樹脂來降低熱變形的影響，或在制作光硬化型樹脂與該導(dǎo)電性填充物的復(fù)合膜時混入硅粒子，可減少相鄰端子之間誤通電的發(fā)生。

將此次開發(fā)的鎳管用于熱硬化型硅復(fù)合膜進(jìn)行了實驗。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，電極間距僅為10μm就顯示出了各向異性導(dǎo)電性，用薄膜膜面方向的體積抵抗率除以膜厚方向的體積抵抗率得到的各向異性比為1010。

該研發(fā)項目得到了新能源工業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）的資助。(小曾)

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