LED半導體照明網(wǎng)訊 德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所（Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF）宣布，通過在LED的控制電路中采用氮化鎵（GaN），成功地將現(xiàn)有的亮度為1000lm的LED燈泡改造成了2090lm的高亮度LED燈泡，LED燈泡的發(fā)光效率也提高了數(shù)個百分點。

　LED控制電路的作用是使交流變直流轉(zhuǎn)換器的輸出電流保持在恒定水平。據(jù)Fraunhofer IAF介紹，LED芯片非常容易受到電流波動的影響，控制電路的可靠性對於芯片壽命有著很大影響。一般情況下，該控制電路的晶體管都采用硅半導體。

Fraunhofer IAF改造部分控制電路，將LED燈泡的光通量從1000lm提高至2090lm

此次，F(xiàn)raunhofer IAF采用GaN晶體管而非硅晶體管制作了控制電路。而且已經(jīng)確認，即使電流、溫度及電壓比使用硅晶體管時都要大，GaN晶體管也能夠以非常高的可靠性工作。控制電路的工作效率也比較高，為86％，比采用硅晶體管時高出1～4個百分點。

此外，與采用硅晶體管時相比，采用GaN晶體管的控制電路能夠以10倍以上的高頻工作。這意味著可以減小感應器和電容器等器件的尺寸。如果能夠減小器件的尺寸，將有助於LED燈泡的進一步小型化及制造成本的降低。

Fraunhofer IAF表示，對於市售的亮度約為1000lmLED燈泡，將其控制電路換成上述采用GaN晶體管制作的控制電路后，光通量可提高至2090lm。