中國LED產(chǎn)業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，龍頭受益集中度提升

LED產(chǎn)業(yè)自誕生以來，各種不同應(yīng)用不斷推升對其的需求，包括LCD背光源、LED照明等，使得LED產(chǎn)業(yè)一直都呈現(xiàn)持續(xù)高速成長的態(tài)勢。中國LED市場規(guī)模近年來迅速發(fā)展，根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)的數(shù)據(jù)，2015年，我國LED市場規(guī)模達到4245億元人民幣，同比增長21%，仍然保持較高的增速。

產(chǎn)業(yè)鏈分工明確，規(guī)模優(yōu)勢愈發(fā)明顯

LED產(chǎn)業(yè)鏈主要包括原材料、設(shè)備，上游芯片制造，中游LED封裝以及下游LED應(yīng)用。我國LED 產(chǎn)業(yè)起步較晚，大多廠商從封裝起步，逐步進入上游芯片生產(chǎn)。目前國內(nèi)LED上中游企業(yè)較少，使得外延片和芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)集中度較高;而涉足封裝及應(yīng)用領(lǐng)域的企業(yè)較多，但形成規(guī)模效應(yīng)的企業(yè)較少，產(chǎn)業(yè)集中度較低，競爭相對比較激烈。

上游芯片準入門檻高

LED產(chǎn)業(yè)鏈中屬LED芯片制造行業(yè)準入門檻較高：即需要大規(guī)模的資金投入，也需要長期的技術(shù)積累。這也使得中國LED芯片制造企業(yè)自2011年以來大規(guī)模減少，UBS(瑞銀)預(yù)計目前中國能夠大規(guī)模量產(chǎn)LED芯片的企業(yè)約為10家左右。自2014年以來，國內(nèi)各大LED芯片廠商先后加碼LED芯片業(yè)務(wù)，造成產(chǎn)能過剩明顯，價格出現(xiàn)大幅下滑，部分企業(yè)虧損嚴重。2015年，我國LED芯片產(chǎn)量達到3918.21億顆，同比增長24.32%。而在經(jīng)歷過“投資熱”、“產(chǎn)能過剩”后，2016年LED芯片行業(yè)逐漸回歸理性，一些芯片廠商消減LED芯片投入力度，消化庫存。

中游封裝環(huán)節(jié)發(fā)展平穩(wěn)

據(jù)全球LED廠商的LED封裝元件營收排名顯示，2015年日亞化學(xué)依舊盤據(jù)龍頭地位，歐司朗光電半導(dǎo)體(OSRAM OPTO)、Lumileds則緊追在后。三星等韓系廠商則因背光應(yīng)用衰退、殺價競爭激烈，使得營收普遍呈現(xiàn)衰退。由于LED價格競爭激烈，多數(shù)LED廠商營收出現(xiàn)下滑。加上美元升值的影響，部分廠商營收表現(xiàn)換算成美元之后反而呈現(xiàn)衰退的現(xiàn)象。

國內(nèi)LED封裝環(huán)節(jié)總體發(fā)展平穩(wěn)，2015產(chǎn)值達到615億元，同比增長19%。從產(chǎn)能端來看，LED封裝器件產(chǎn)量整體增長達50%，但因為平均價格下降過快，拖累整體產(chǎn)值的高速增長。

下游應(yīng)用指的是LED成品，包括LED顯示屏、LED照明產(chǎn)品及各式各樣的LED亮化產(chǎn)品。由于下游行業(yè)門檻相對較低，大量企業(yè)涌入，廠商之間激烈的價格戰(zhàn)使得很多企業(yè)紛紛轉(zhuǎn)型，或做差異化產(chǎn)品，小間距LED顯示屏，各種異形屏，創(chuàng)意產(chǎn)品進入市場，并取得不錯的效果。目前國內(nèi)LED 已逐漸在通用照明、背光源、景觀照明、顯示屏、交通信號、車用照明及家用電子消費等領(lǐng)域獲得了較好應(yīng)用和推廣。

下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

2015年LED應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到3479億元，雖然受到價格不斷降低的影響，但仍然是產(chǎn)業(yè)鏈中增長最快的環(huán)節(jié)，應(yīng)用整體增長率接近22%。其中LED通用照明仍然是市場發(fā)展的最主要推動力，產(chǎn)值達1552億元，增長率為32.5%，滲透率超過30%，占應(yīng)用市場的比重也由2014年的41%，增加到2015年的45%。

LED芯片價格企穩(wěn)，行業(yè)集中度提高

全球供給增速放緩，產(chǎn)能過剩情況改善

全球LED市場自2011年以來，出現(xiàn)了嚴重的供大于求。這主要是由于中國政府推進節(jié)能減排，各地政府相繼推出了鼓勵LED芯片企業(yè)的政策，包括對于LED芯片生產(chǎn)核心設(shè)備MOCVD給予人民幣800萬元到1000萬元的補貼。公開資料顯示，我國從2009 年開始對LED 產(chǎn)業(yè)進行補貼，補貼幅度很大。2013年從國務(wù)院到地方政府都相繼出臺政策大力推廣LED 產(chǎn)業(yè)。

UBS(瑞銀)2015年6月發(fā)布的電子元器件行業(yè)研報指出，全2011年全球LED芯片的產(chǎn)能約為4420萬平方英寸，而同期需求僅為3397萬平方英寸，供需比高達130%。不過，由于全球主要LED芯片廠商新增產(chǎn)能有限，且需求持續(xù)增長，2014年全球LED芯片供需比從2011年的130%，下滑至104%。

根據(jù)GLII統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2010-2014年，國內(nèi)LED外延芯片設(shè)備MOCVD從327臺增長到1372臺，年復(fù)合增速達到33%。2015年全球MOCVD機臺安裝量達到3,130臺(MOCVD數(shù)據(jù)統(tǒng)一換算為K465i機型)，其中中國大陸累計安裝數(shù)量就達1473臺，占全球MOCVD產(chǎn)能的47%。

此外， LED背光電視需求增長，導(dǎo)致臺灣地區(qū)、韓國LED廠商也紛紛擴產(chǎn)，從而導(dǎo)致全球LED芯片產(chǎn)能大幅提升，超出了需求的增長。

2015年以來，隨著十三五計劃不再將LED產(chǎn)業(yè)列入培植行業(yè)，上游芯片補貼正在逐步收窄。政府層面收窄補貼，將從產(chǎn)業(yè)鏈源頭抑制了LED 芯片產(chǎn)能無序擴張。2015 年LED產(chǎn)業(yè)洗牌之后，大型芯片廠商紛紛調(diào)整產(chǎn)能，控制擴產(chǎn)計劃。晶電、CREE 從2015年下半年開始分別減產(chǎn)25%。瑞銀的數(shù)據(jù)顯示2015 年LED芯片端供給產(chǎn)能大約不到9200 萬平方英寸，預(yù)計2016年僅將略微增長。

價格下跌淘汰落后產(chǎn)能，行業(yè)集中度提高

前期的粗放擴張導(dǎo)致整個行業(yè)產(chǎn)能過剩，大幅度的產(chǎn)能過剩使得LED芯片的價格在2015年經(jīng)歷了大幅下跌，也使得整個外延芯片市場規(guī)模增速下滑明顯。2015年我國LED芯片產(chǎn)量增加40%，但由于芯片價格大幅下降，導(dǎo)致總共的市場規(guī)模增速只有10%。

LED芯片價格的下跌使得產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷深度洗牌，大多數(shù)規(guī)模較小的企業(yè)，由于機臺落后、技術(shù)更新不暢、經(jīng)營不善而成為“僵尸”企業(yè)，或者減產(chǎn)或者轉(zhuǎn)型，導(dǎo)致落后產(chǎn)能被淘汰，僅大陸就有約4000 家LED企業(yè)退出市場。此外，國家2015年的MOCVD設(shè)備補貼力度減少，缺乏成本優(yōu)勢的中小企業(yè)的競爭力將被削弱，而龍頭企業(yè)的競爭優(yōu)勢則更明顯。使得少數(shù)技術(shù)沉淀較好的中小企業(yè)成為被大企業(yè)并購的對象，產(chǎn)業(yè)集中度在不斷提升，并且速度有加劇的趨勢。

連續(xù)5年價格戰(zhàn)臨近尾聲，LED芯片價格企穩(wěn)

由于前幾年進入LED行業(yè)廠商過多，整個行業(yè)也面臨著轉(zhuǎn)型升級。2015年上半年，中國LED芯片行業(yè)多數(shù)芯片企業(yè)產(chǎn)品價格降幅達到20%以上，而作為中國LED芯片龍頭企業(yè)的三安光電更是引領(lǐng)了這波降價潮。2016一季度末以來，LED產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)產(chǎn)品價格均迎來不同程度的上漲。臺灣晶元光電發(fā)布產(chǎn)品調(diào)價聯(lián)絡(luò)函后，國內(nèi)LED芯片龍頭三安光電、華燦光電也陸續(xù)發(fā)布調(diào)價聯(lián)絡(luò)函。三安光電針對中小尺寸產(chǎn)品價格上浮10%，華燦光電調(diào)整了利潤較低的產(chǎn)品價格，整個LED行業(yè)迎來新的發(fā)展階段，大廠的議價能力進一步提高，LED各環(huán)節(jié)引來漲價趨勢。

至于下游的LED照明產(chǎn)品也出現(xiàn)了不小的漲價幅度，主因是反映原物料成本的上漲，特別是銅，鋁等大宗金屬原物料在今年下半年出現(xiàn)價格上漲，使得LED照明廠商不得不公告漲價來反映成本。此次漲價是市場回歸理性的前奏， LED產(chǎn)業(yè)單純靠降價競爭無法走遠，只有讓LED產(chǎn)品回歸到本來的價值，LED產(chǎn)業(yè)回歸到理性的競爭環(huán)境，通過競爭獲取份額，市場才有長久發(fā)展的動力。2016年全球LED市場產(chǎn)值成長幅度不高，但整體產(chǎn)業(yè)卻發(fā)生劇烈變化，在小間距LED顯示屏的需求崛起下，上游LED芯片供給吃緊，使得部分LED芯片與封裝器件，出現(xiàn)過去五年來的首度漲價。

Micro LED將成下游新的增長點

Micro LED即微發(fā)光二極管顯示器，指的是在一個芯片上集成眾多間距小、體積小的LED陣列，可理解為LED技術(shù)的微型化和矩陣化。Micro LED體積約為目前主流LED大小的1%，并且每一個模塊都能實現(xiàn)定址、單獨發(fā)光與微米級間距。在智能終端小型化、物聯(lián)網(wǎng)時代趨勢帶動下，Micro LED成為平板顯示界的新熱點。

Micro LED顯示技術(shù)的發(fā)展歷史現(xiàn)在被市場廣泛熟知的OLED技術(shù)上主要是由韓廠主導(dǎo)，其中三星更是在小尺寸OLED面板技術(shù)的擁有技術(shù)優(yōu)勢，使得其他大廠只能望其項背。因此，布局Micro LED成為了實現(xiàn)顯示技術(shù)彎道超車的良方。MicroLED的發(fā)展可以追溯至2000年，Cree教授申請了有關(guān)專利，使得Micro LED成為學(xué)術(shù)界的研究方向;直達2009年，以Micro LED技術(shù)為核心的Luxvue成立，標志著其商業(yè)化的開始。

OLED 和 Micro LED 為未來平板顯示兩大發(fā)展趨勢

較為成熟OLED技術(shù)與起步階段的Micro LED技術(shù)成為未來平板顯示技術(shù)的兩大陣營。其中，Micro LED技術(shù)具有低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩飽和度與反應(yīng)速度快等特點，將成為未來智能可穿戴設(shè)備、VR和AR設(shè)備的新寵。

再加上，Micro LED技術(shù)可以吸收至少有70%左右的TFT-LED工藝，技術(shù)通用性高。根據(jù)評估，考慮到投入成本，Micro LED要是導(dǎo)入在8.5代的LCD生產(chǎn)線上，現(xiàn)有制程約70%無需轉(zhuǎn)換，并且可多臺機器共用。相較于，資本支出高昂的OLED生產(chǎn)線，成本優(yōu)勢明顯。但是在量產(chǎn)方面，巨量轉(zhuǎn)移的良率與精確度成為Micro LED發(fā)展的難點。只有完美突破這兩點，MicroLED技術(shù)才能真正發(fā)揮優(yōu)勢，實現(xiàn)廣泛應(yīng)用。各大企業(yè)都已經(jīng)在轉(zhuǎn)移技術(shù)上提出相應(yīng)專利，像蘋果收購的Luxvue就擁有多項專利技術(shù)。

Micro LED應(yīng)用前景廣闊

Micro LED為跨領(lǐng)域技術(shù)，實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)后，該技術(shù)將形成全新行業(yè)，不僅僅局限于可穿戴設(shè)備與顯示屏。未來，Micro LED市場規(guī)?，F(xiàn)在還難以定論，但從其廣泛的應(yīng)用前景，市場發(fā)展空間廣闊。

目前，作為最早涉足Micro LED的Sony專攻大屏 Micro LED的生產(chǎn)，而蘋果則選擇了小尺寸作為方向。但蘋果、Sony這兩家大企均是采用縮小發(fā)光面積的方式實現(xiàn)微型化，其中蘋果技術(shù)有搶眼跟進，尺寸可縮小至10umx10um。除此之外，三星、LG、夏普、友達光電、群創(chuàng)科技、晶電等也開始謀劃Micro LED。

MicroLED 的市場前景給在OLED方面反應(yīng)較慢的企業(yè)提供了新的機遇。國內(nèi)廠商若是能利用該新技術(shù)方向，趁著技術(shù)空檔期，加速布局，也將給OLED市場帶來巨大沖擊，實現(xiàn)反轉(zhuǎn)突圍。在Micro LED市場的推動下，有核心作用的Micro LED芯片市場也會被相應(yīng)帶動，值得期待。如果以20umx20um的方形芯片計算，芯片間隔為30um進行衡量，那1平方毫米的屏幕需要400顆左右的LED芯片，2016年LCD出貨面積預(yù)計為1.68億平方米，如果假設(shè)Micro LED滲透率0.1%，則需要67.2萬億顆芯片市場空間，需求非常巨大!

三安光電有望成為LED領(lǐng)域的臺積電

公司是國內(nèi)最大的LED芯片生產(chǎn)廠商，就MOCVD 設(shè)備數(shù)目來看，公司2015年底約有170臺設(shè)備投入生產(chǎn)，2016年一季度共有226臺設(shè)備投入生產(chǎn)，截止到6月底公司的MOCVD設(shè)備已經(jīng)投入生產(chǎn)256臺，預(yù)計到目前為止公司現(xiàn)有設(shè)備應(yīng)全部開出，處于滿產(chǎn)狀態(tài)，約280臺MOCVD設(shè)備。后續(xù)公司還有47臺MOCVD(換算成2寸54片機為94臺)設(shè)備的采購計劃，明年有望繼續(xù)擴充產(chǎn)能。

正是由于公司產(chǎn)能不斷釋放，公司收入規(guī)模才能持續(xù)增長。公司前三季度實現(xiàn)營業(yè)收入44.86 億元，歸屬于上市公司股東凈利潤14.96億元，分別同比增長24.55%和3.39%。加上今年四季度表現(xiàn)，預(yù)計公司將實現(xiàn)收入與凈利潤雙增長。

臺積電是集成電路芯片制造領(lǐng)域的巨無霸，受益于其技術(shù)創(chuàng)新和規(guī)模擴張，公司的持續(xù)保持大規(guī)模領(lǐng)先優(yōu)勢，且毛利水平穩(wěn)中有升。

利潤率維持高水平

公司在發(fā)展過程中產(chǎn)能持續(xù)擴張，且在LED芯片制造領(lǐng)域保持技術(shù)創(chuàng)新，我們認為其毛利率未來也將保持穩(wěn)中有升的態(tài)勢。有從凈利潤率的角度，公司一直維持良好的利潤水平，保持在30%左右;從凈資產(chǎn)收益率的角度，公司利用自有資產(chǎn)獲取利潤的能力也一直平穩(wěn)，盈利能力穩(wěn)定。

公司主營業(yè)務(wù)以LED芯片與應(yīng)用為主，2016年上半年占比達到90%以上，是公司主要業(yè)績支撐。從毛利情況來看，公司二季度毛利率降低到36.59%，主要由于隨著前期募投項目產(chǎn)能逐步釋放，而產(chǎn)品價格波動與成本下降滯后雙重影響導(dǎo)致。三季度，公司加強研發(fā)，把控成本，毛利率水平有所提升，達到了39.26%。

后期，隨著其他產(chǎn)品陸續(xù)完成認證，新設(shè)備擴產(chǎn)加速，以及生產(chǎn)項目落地，公司未來收入、凈利潤、毛利表現(xiàn)都值得期待。

國家支持力度大

公司近期又與國開行共同簽署《開發(fā)性金融合作協(xié)議》。國開行與公司的合作可以追溯到2012年，在這四年間其通過注資，實現(xiàn)了對三安的全面覆蓋。除去融資，國開行還引導(dǎo)了集成電路產(chǎn)業(yè)基金的投資方向，給三安成立安芯產(chǎn)業(yè)投資基金帶來64億的支援。國開行對公司的支持完全體現(xiàn)了其對于LED芯片制造的關(guān)注。

此次《合作協(xié)議》通過并購貸款、項目貸款，集團統(tǒng)借等方式與公司更加深度的合作，并且也拉開了國開行300億資金重點布局LED芯片、集成電路等領(lǐng)域的序幕。受到了注資的三安，能有更多的余力實現(xiàn)并購或者項目拓展，表現(xiàn)值得期待。

公司布局化合物半導(dǎo)體，把握二次創(chuàng)業(yè)

化合物半導(dǎo)體主要包括以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體和以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體。GaAs一直主導(dǎo)手機功率放大器(PA)市場，帶動了無線通信、多媒體等技術(shù)的飛速發(fā)展，同時還可以用來生產(chǎn)紅黃光發(fā)光二極管、激光器等光信息處理元器件。GaN早在20世紀50年代就已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)并研究，但是由于工藝的限制，產(chǎn)業(yè)化一直難以解決，直到近一二十年，寬禁帶半導(dǎo)體的研究和應(yīng)用才得到了真正的發(fā)展，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大。

砷化鎵在射頻領(lǐng)域優(yōu)勢突出

GaAs作為第二代半導(dǎo)體材料，相對于第一代的Si材料相比，它的電子遷移率為Si的6倍。其較高電子遷移率、較寬的禁帶、較低的功耗等特性，決定了它的廣泛用途及廣闊的市場。

GaAs主要適用于高頻及無線通信領(lǐng)域中的IC器件。由GaAs制出的高頻、耐高溫、防輻射的器件已經(jīng)被應(yīng)用在無線通信、光通信、激光器等領(lǐng)域。此外，由于GaAs的光電特性，GaAs通常也是制作光電元器件的基本材料。

根據(jù)strategy Analytics的調(diào)查數(shù)據(jù)，2013年全球砷化鎵微博功率半導(dǎo)體市場總產(chǎn)值約64.7億美元。而根據(jù)TriQuint的數(shù)據(jù)顯示，其GaAs產(chǎn)品主要用于三個領(lǐng)域——移動設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、國防和航空航天。

砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈包括外延片、IC設(shè)計、晶圓制造、封裝測試四個環(huán)節(jié)，采用IDM模式的廠商主要有Skyworks、Qorvo、Avago等;外延片廠商主要有IQE、Emcore、全新等;IC設(shè)計廠商主要有Microchip、Microsemi、和茂、銳迪科等;晶圓制造廠商主要有GCS、穩(wěn)懋、宏捷科技、三安光電等;封測廠商主要有同欣、菱生、臺達電等。

在手機無線網(wǎng)絡(luò)中，系統(tǒng)中的無線射頻模組必定含有兩個關(guān)鍵的砷化鎵半導(dǎo)體零組件：射頻功率放大器(HBT工藝)和射頻開關(guān)器(pHEMT)。目前一部4G手機平均使用7顆PA和4個射頻開關(guān)器，未來隨著4G手機、5G手機滲透率不斷提升，手機用的砷化鎵元件還將不斷增長。

氮化鎵半導(dǎo)體性能出眾

目前第三代半導(dǎo)體材料被稱作寬禁帶半導(dǎo)體。禁帶寬度是一個半導(dǎo)體的重要特征參量，其大小決定了半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。禁帶寬度直接決定了半導(dǎo)體器件的耐壓和最高工作溫度。寬禁帶半導(dǎo)體器件可以實現(xiàn)高耐壓、低導(dǎo)通電阻、更高工作頻率,相比于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料具備更為強大的功能且更為高效節(jié)能，GaN/SiC功率器件在AC/DC、DC/DC、DC/AC電流轉(zhuǎn)換中損耗大幅低于Si器件，未來可以大幅消減電力損耗的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件將廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、節(jié)能電機、大型數(shù)據(jù)中心、電網(wǎng)、電動汽車領(lǐng)域,成為整個節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心。

由于對高速、高溫器件需求的不斷增長，使得半導(dǎo)體業(yè)界開始重新考慮半導(dǎo)體的設(shè)計和材料。目前Si材料已經(jīng)難以維持摩爾定律，由于GaN材料的特性，為多種應(yīng)用提供了獨特的選擇，如消費電子領(lǐng)域、軍事電子領(lǐng)域、工業(yè)領(lǐng)域等等。我們預(yù)計需求量的增加主要來自于GaN材料器件帶來的器件在性能方面的提高，以及由于重量、尺寸等縮小打來的便捷性和經(jīng)濟性。

三安光電化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進展順利

定增募集資金投向化合物半導(dǎo)體項目

三安光電化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進展順利公司2015年公布定向增發(fā)，募集資金投入到廈門光電產(chǎn)業(yè)化(二期)項目及通訊微電子器件(一期)項目。

據(jù)公司2016年半年報，化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)參與的客戶設(shè)計案263個，有19個芯片通過性能驗證，部分客戶開始出貨，二季度三安集成實現(xiàn)245.06萬元銷售收入。公司后續(xù)將盡快完成其他產(chǎn)品的認證，加快新設(shè)備采購進度，加快并購步伐并盡快落實項目，提升核心競爭力和盈利能力。目前，公司的主要競爭對手為Qorvo、穩(wěn)懋、宏捷科技等廠商。

投資GCS，優(yōu)勢互補

2016年11月，公司與GCS成立合資公司——廈門三安環(huán)宇集成電路有限公司，其中三安光電出資204萬美元，占比51%。GCS擁有先進成熟的生產(chǎn)工藝技術(shù)，沒有足夠的產(chǎn)能;三安光電則處于工藝的摸索階段，有先進的設(shè)備和足夠的產(chǎn)能。兩者結(jié)合可以以迅速提升公司在射頻通訊和光通訊元件技術(shù)水平和專利平臺的構(gòu)筑，廣闊的客戶網(wǎng)絡(luò)與公司現(xiàn)有業(yè)務(wù)技術(shù)與產(chǎn)能形成互補，為公司集成電路開拓海內(nèi)外市場提供強有力保障，有利于加快公司集成電路業(yè)務(wù)的發(fā)展進程，擴大業(yè)務(wù)范圍及規(guī)模，提高公司盈利水平，提升公司核心競爭力。

為服務(wù)RFIC/MMIC行業(yè)，GCS提供廣泛的III-V族化合物半導(dǎo)體制程技術(shù)組合，包括GaAs PHEMT、GaN HEMT等制程技術(shù)，以提升客戶產(chǎn)品性能和市場競爭力。公司的GaAs PHEMT工藝可以制作低成本手機開關(guān)、高達40GHz的功率放大器芯片(PA)、低噪聲放大器芯片(LNA)等。此外，硅基氮化鎵射頻功率放大器(RF PA)的制程技術(shù)也已經(jīng)通過大批量生產(chǎn)所需的驗證。

在測試儀器中經(jīng)常使用超高速混合信號集成電路，在光纖通訊會用到40-100G的跨阻放大器(TIA)，GCS開發(fā)了兩代具有截止頻率180千兆赫至300千兆赫的磷化銦(InP)HBT技術(shù)(四個制程分別為SHBT、DHBT1、DHBT2、DHBT3)，多位客戶已經(jīng)證明其優(yōu)越的性能并已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。

GCS正在開發(fā)氮化鎵制程技術(shù)，以供功率電子的應(yīng)用，諸如太陽能逆變器、風力發(fā)電機、traction、不斷電的電力供應(yīng)器(UPS)、馬達驅(qū)動及混合電動車/全電動汽車。GaN功率電子的工藝技術(shù)為0.5um的制程，包括Si基GaN技術(shù)和SiC基GaN技術(shù)兩種。相比較而言，Si基GaN產(chǎn)品成本更低，而SiC基GaN產(chǎn)品性能更好。

主要財務(wù)指標

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