“十五”期間，在18號(hào)文件政策的引導(dǎo)和應(yīng)用市場(chǎng)的帶動(dòng)下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)大，技術(shù)水平不斷提高，產(chǎn)業(yè)體系日趨完善，實(shí)現(xiàn)了較快發(fā)展。

　　但我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)仍存在許多問(wèn)題和矛盾，與信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展要求仍存在相當(dāng)差距?！笆晃濉笔俏覈?guó)全面建設(shè)小康社會(huì)的重要時(shí)期，也是信息產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略的重要起步期，在這種新的形勢(shì)下，我們要推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)又好又快發(fā)展。

　　優(yōu)先發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)業(yè)

　　“十五”期間，國(guó)家頒布了《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》及《集成電路產(chǎn)業(yè)研究與開(kāi)發(fā)專項(xiàng)基金管理暫行辦法》等一系列政策措施，為國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)I造了良好的環(huán)境，有力地促進(jìn)了集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)得到長(zhǎng)足進(jìn)步。

　　“十一五”期間我們?nèi)詫?jiān)持以集成電路設(shè)計(jì)業(yè)為龍頭，繼續(xù)加大支持力度，完善相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策、法規(guī)的制定和落實(shí)，加快出臺(tái)《進(jìn)一步促進(jìn)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》，力爭(zhēng)出臺(tái)軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)條例，為集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展提供良好的政策氛圍。

　　“十一五”期間要大力推進(jìn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)和整機(jī)應(yīng)用廠商之間的合作，推動(dòng)新技術(shù)的廣泛應(yīng)用，以應(yīng)用促發(fā)展。加快建設(shè)企業(yè)為主體、社會(huì)各界參與的集成電路共性技術(shù)研發(fā)和公共服務(wù)平臺(tái)，促進(jìn)企業(yè)間聯(lián)合開(kāi)發(fā)。充分發(fā)揮行業(yè)協(xié)會(huì)的橋梁紐帶作用，鼓勵(lì)企業(yè)成立各類(lèi)技術(shù)合作機(jī)構(gòu)，共同推進(jìn)新技術(shù)研發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)的制定。

　　重視專利和標(biāo)準(zhǔn)作用，努力提升專利數(shù)量和質(zhì)量，研發(fā)一批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心關(guān)鍵技術(shù)。將涉及國(guó)家經(jīng)濟(jì)和國(guó)防安全等重要領(lǐng)域的核心關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)納入到國(guó)家總體發(fā)展規(guī)劃。加快啟動(dòng)國(guó)家科技和產(chǎn)業(yè)化重大專項(xiàng)，實(shí)現(xiàn)重點(diǎn)突破。

　　堅(jiān)持市場(chǎng)導(dǎo)向、企業(yè)運(yùn)作、政府引導(dǎo)的原則，集中力量培育有核心競(jìng)爭(zhēng)力的骨干企業(yè)。積極支持企業(yè)根據(jù)自身發(fā)展的要求，以市場(chǎng)為導(dǎo)向，以資本為紐帶，進(jìn)行跨行業(yè)、跨部門(mén)、跨地區(qū)、跨所有制的收購(gòu)、兼并、重組，形成一批擁有著名品牌和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、主業(yè)突出、核心技術(shù)開(kāi)發(fā)水平較高、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)企業(yè)。

　　積極發(fā)展集成電路制造業(yè)

　　我國(guó)要想提高集成電路產(chǎn)業(yè)控制力，需要從產(chǎn)業(yè)模式上取得突破，積極發(fā)展集成器件制造模式，從制造入手，進(jìn)而向產(chǎn)業(yè)鏈兩端延伸，形成完整的集成電路制造體系。

　　目前我國(guó)集成電路芯片制造業(yè)缺乏成熟的工藝制造技術(shù)。“十一五”期間，我們要積極開(kāi)發(fā)90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成電路的制造工藝技術(shù)，研究新型的光刻及離子注入技術(shù)，縮小技術(shù)差距。鼓勵(lì)12英寸高水平生產(chǎn)線建設(shè)；推動(dòng)現(xiàn)有生產(chǎn)線的技術(shù)升級(jí)，支持“909”工程升級(jí)改造，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)控制力。

　　在“十一五”期間，要努力把握未來(lái)國(guó)內(nèi)外超大規(guī)模集成電路的發(fā)展趨勢(shì)，掌握標(biāo)準(zhǔn)工藝IP核的國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)需求，加大對(duì)處理器、存儲(chǔ)器等關(guān)鍵IP核的開(kāi)發(fā)，為我國(guó)超大規(guī)模集成電路IP核系列的開(kāi)發(fā)探索有效途徑；啟動(dòng)軟/硬件協(xié)同設(shè)計(jì)、IP復(fù)用和與SoC相關(guān)的新工藝、新器件及可靠性領(lǐng)域中若干關(guān)鍵技術(shù)的預(yù)研；推動(dòng)國(guó)家IP庫(kù)的建立，并做好后續(xù)的維護(hù)升級(jí)及專利保護(hù)工作。

　　提升封裝測(cè)試能力

　　大力發(fā)展BGA、CSP、MCP、MCM、MEMS等高密度封裝技術(shù)勢(shì)在必行，要著力提升我國(guó)封裝業(yè)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化水平。

　　“十一五”期間，要加大研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化投入，提高和完善開(kāi)發(fā)環(huán)境和手段，加快新型封裝材料的發(fā)展，逐步改變目前基本依賴進(jìn)口的局面。

　　高密度集成電路封裝對(duì)測(cè)試技術(shù)提出了更加嚴(yán)格的要求。測(cè)試技術(shù)更多地固化在測(cè)試儀器內(nèi)?！笆晃濉逼陂g要重點(diǎn)推進(jìn)新型測(cè)試設(shè)備的研發(fā)，不斷提高測(cè)試效率和精度。

　　增強(qiáng)關(guān)鍵設(shè)備和材料開(kāi)發(fā)能力

　　重點(diǎn)開(kāi)發(fā)12英寸硅拋光片和8英寸、12英寸硅外延片，鍺硅外延片，SOI材料，寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，新型互連材料等材料；努力掌握6-8英寸集成電路設(shè)備的制造技術(shù)；力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)12英寸65納米激光步進(jìn)光刻機(jī)、大角度傾斜大劑量離子注入機(jī)、金屬氧化物化學(xué)氣相沉積設(shè)備，高密度等離子體刻蝕機(jī)、大尺寸擴(kuò)散爐等重大關(guān)鍵裝備的產(chǎn)業(yè)化；加強(qiáng)企業(yè)和研發(fā)中心之間的合作。

　　在6-8英寸用光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、立式擴(kuò)散爐、快速熱處理設(shè)備，氧化擴(kuò)散設(shè)備、化學(xué)腐蝕設(shè)備、硅片清洗設(shè)備、劃片機(jī)、鍵合機(jī)、集成電路自動(dòng)封裝系統(tǒng)等設(shè)備實(shí)用化的基礎(chǔ)上，提供批量供應(yīng)。對(duì)用量較大的光刻膠、清洗、刻蝕試劑化學(xué)拋光液等，力爭(zhēng)在“十一五”期間實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

　　“十一五”期間，建立完善的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)钱a(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展的核心任務(wù)。全行業(yè)要以芯片設(shè)計(jì)為突破口，并以芯片制造作為重點(diǎn)，以關(guān)鍵設(shè)備和材料為基礎(chǔ)，積極發(fā)展集成電路封裝業(yè)，推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)協(xié)調(diào)發(fā)展，盡快建立起植根于國(guó)內(nèi)、具有核心競(jìng)爭(zhēng)能力的產(chǎn)業(yè)體系。