隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，人們對各類電子產(chǎn)品的電磁兼容性與可靠性、安全性提出了更高的要求。這就極大地促進了EMI對策電子元件與電路保護電子元件的飛速發(fā)展，成為電子元件領(lǐng)域中的一個熱點，引起人們的極大關(guān)注。這類電子元件品種繁多，雖然近兩年沒有出現(xiàn)什么特別令人注目的新發(fā)明、新品種，但是這類電子元件型號規(guī)格的增多、參數(shù)范圍的擴大以及抑制電磁干擾能力和保護電路能力的提升都非常顯著。特別是在這類電子元件的應用方面，應用范圍的迅速擴大與需求量的急劇上升，都是十分驚人的。

EMI對策元件的新進展 

1．微小型化 

迫于電子產(chǎn)品向更小、更輕、更靈巧的方向發(fā)展，EMI對策元件繼續(xù)向微小型化發(fā)展，如片式磁珠和片式電容器的主流封裝尺寸已經(jīng)逐步從1608（0603）過渡到1005（0402）；又如日本村田新發(fā)布的3繞組共模扼流圈的尺寸僅為2.5mm×2.0mm×1.2mm；在3.2mm×1.6mm×1.15mm的尺寸內(nèi)封裝了兩個共模扼流圈陣列。 

2．高頻化 

目前，電子產(chǎn)品向高頻化發(fā)展的趨勢十分明顯，如計算機的時鐘頻率提高到幾百兆赫乃至千兆赫；數(shù)字無線傳輸?shù)念l率也達到2GHz以上；無繩電話的頻率從45MHz提高到2400MHz等，因而由高次諧波引起的噪聲也相應出現(xiàn)在更高的頻率范圍，EMI對策元件也隨著向高頻化發(fā)展，例如，疊層型片式磁珠的抑制頻率提高到GHz范圍。國內(nèi)南虹、順絡(luò)、麥捷以及國外的Murata、TDK、Taiyo－yuden、AEM、Vishay等公司都已推出性能優(yōu)良的GHz片式磁珠，其抑制噪聲頻率在600MHz～3GHz，滿足了高速數(shù)字電路的要求；村田的3端片式穿心陶瓷電容器的抑制頻率范圍為3MHz～2000MHz；TDK開發(fā)的1005（0402）片式電感器.電感器的使用頻率達到12GHz。 

3．復合化和多功能化   

在電子產(chǎn)品中經(jīng)常有排線部位，如I/O排線。為了使用方便，節(jié)省PCB面積，加快表面貼裝速度，一些片式EMI對策元件已經(jīng)陣列化。在1個封裝內(nèi)通常含有2、4、6、8個EMI對策元件。此外，將不同功能的EMI對策元件組合在1個封裝內(nèi)，達到多功能的目的。如將噪聲抑制功能與靜電放電保護功能組合在一起；將電容器與電感器或電阻器組合在一起；將共模噪聲抑制與差模噪聲抑制組合在一起等，都體現(xiàn)了向多功能化發(fā)展的趨勢。 

4．新材料和新元件 

眾所周知，尖晶石型軟磁鐵氧體和BaTiO3基陶瓷材料在EMI對策中占有十分重要的位置。近年來，又開發(fā)出一些新型材料，可用于抗電磁干擾，如6角晶系鐵氧體材料、金屬磁粉材料、非晶及超細晶金屬磁性材料、高分子磁性材料、高分子介質(zhì)材料、復合介質(zhì)材料及納米材料等。這些新型材料將在電磁兼容領(lǐng)域嶄露頭角，值得人們密切關(guān)注。