在消費電子與綠色能源需求的推動下，新型半導體材料將更多地在生產(chǎn)中得到應用，新材料的使用同時也是降低成本的需求。此外，新的工藝技術(shù)也會對材料提出新的要求。 

隨著半導體技術(shù)向45nm、32nm延伸，越來越多的新材料將在生產(chǎn)中采用。2007年半導體材料的銷售額已達到了420億美元，占半導體產(chǎn)業(yè)的16%，與半導體設(shè)備銷售額持平。據(jù)SEMI(國際半導體設(shè)備及材料協(xié)會)預測，到2010年，半導體材料的銷售額將達到530億美元。2008中國國際半導體材料研討會3月19日-20日在上海與SEMICONChina同期召開，半導體材料越來越引起業(yè)界的關(guān)注。 

新材料研發(fā)投入與日俱增 

半導體產(chǎn)業(yè)2007年的銷售額達到了2590億美元，在過去的5年中平均增長率為9.5%。半導體材料的銷售額占半導體產(chǎn)業(yè)的16%，為此，全球半導體制造公司、設(shè)備與材料公司在新材料方面的人力與資金投入都與日俱增。據(jù)了解，中芯國際45nm研發(fā)團隊中就有超過一半的人在從事新材料的研發(fā)。“半導體材料是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，材料技術(shù)的發(fā)展使集成電路技術(shù)的升級成為可能?！笨萍疾扛辈块L曹健林在中國國際半導體材料研討會上如是說。 

美國AirProducts先進集成材料總監(jiān)DanO‘Connell認為，半導體材料時代已經(jīng)來臨，在消費電子與綠色能源需求的推動下，半導體產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展，新材料和新元素將更多地在生產(chǎn)中得到應用。如何選擇與鑒定最合適的材料，如何預測材料對薄膜及工藝性能的影響，如何將新材料從研發(fā)快速轉(zhuǎn)入大規(guī)模生產(chǎn)，成為材料時代的新挑戰(zhàn)。 

隨著45nm技術(shù)時代的來臨，新材料在半導體前道和后道工藝中都得到了日益廣泛的應用。Praxair公司研發(fā)總監(jiān)兼中國國際半導體材料研討會技術(shù)委員會主席黃丕成介紹說，半導體制造中通常有6個典型的工藝步驟，分別為光刻、化學機械拋光(CMP)、刻蝕、電鍍、薄膜淀積和離子注入工藝。在45nm技術(shù)中，新材料不僅包括新的光刻膠、更好的CMP工藝研磨液與研磨墊，也包括刻蝕工藝中的氣體與試劑、電鍍與薄膜淀積中的新材料與試劑。黃丕成認為，在前段工藝過程中的高k(介電常數(shù))金屬柵與應力硅材料以及后段工藝過程中的低k與阻擋層材料及相關(guān)工藝，都是當今半導體制造產(chǎn)業(yè)研究熱點中的熱點。 

亞洲是最大半導體材料市場 

中國半導體材料市場發(fā)展迅速，SEMI預計，中國半導體材料銷售額2008年將達到40.3億美元，較2007年增長23%，增長率居全球首位。 

與半導體設(shè)備行業(yè)相比，材料產(chǎn)業(yè)相對穩(wěn)定，沒有很大的跌宕起伏。最近5年的年平均增長率為11%。與設(shè)備行業(yè)類似，亞洲地區(qū)的增長速率高于全球平均水平，其中中國的增長為21%，居全球第一。 

產(chǎn)業(yè)對新材料的需求對供應商來說也是市場機遇所在。納米時代，如何開發(fā)出能夠滿足技術(shù)性能要求的產(chǎn)品，如何降低材料的成本，如何實現(xiàn)新材料的大規(guī)模生產(chǎn)，如何滿足環(huán)保與安全的需求，這些都是材料供應商的機遇與挑戰(zhàn)。 

未來的半導體技術(shù)發(fā)展最離不開的就是材料的革新。碳納米管、可印刷集成電路等在未來的幾年都將逐漸走進市場。黃丕成認為，新材料研究的目標不僅在于滿足技術(shù)的要求，應對技術(shù)挑戰(zhàn)，同時降低成本也是業(yè)界的一大需求，這是追隨摩爾定律的必然結(jié)果。 

與半導體相關(guān)的太陽能、FPD(平板顯示器)等產(chǎn)業(yè)也拉動了對新材料的需求。半導體材料的銷售額占半導體產(chǎn)業(yè)的16%，2007年的銷售額為410億美元，其中60%來自前道，40%來自后道。64%來自亞洲，13%來自北美，9%來自歐洲。因此，包括中國在內(nèi)的亞洲地區(qū)是目前最大的半導體材料市場。 

新材料迎合新工藝需求 

專家認為，在光刻、CMP、刻蝕等領(lǐng)域都存在著一些材料與工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)。黃丕成介紹說，在光刻領(lǐng)域，為了實現(xiàn)更小的技術(shù)節(jié)點，提高分辨率就成為必然。浸入式光刻、EUV(遠紫外線光刻)、雙掩模等新技術(shù)的出現(xiàn)就會對光刻膠材料與結(jié)構(gòu)提出更多的要求。 

黃丕成認為，介電材料的選擇與集成對降低晶體管的RCDelay(電阻-電容延遲時間)也是至關(guān)重要的。因此對低k介電材料的研究與應用一直是業(yè)界的一個關(guān)注點。不僅材料公司在關(guān)注這一問題，設(shè)備公司對此也極為重視，包括應用材料、諾發(fā)等公司都有專門的研發(fā)隊伍與自己獨特的產(chǎn)品，這說明他們都認識到工藝集成中離不開材料。應用材料公司的BlackDiamond技術(shù)與諾發(fā)的Coral技術(shù)都已在實際生產(chǎn)中得到了廣泛的應用。而且隨著線寬的減小，低k材料也在不斷地升級，這也為互連工藝中的銅與低k材料的CMP工藝帶來了挑戰(zhàn)。 

英特爾在45nm首先引入了高k金屬柵工藝，而高k金屬柵在32nm會被更多地采納與應用。這是應對漏電問題的根本解決方案。為此，不僅材料廠商在探索與實驗，積極尋找各種備選材料，英特爾、臺積電、中芯國際等廠商也在研發(fā)隊伍中投入了更多的人力從事材料的研發(fā)。 

中國市場較其他地區(qū)而言是獨一無二的。中國的客戶非常多元化，包括國有企業(yè)、中外合資公司和外商獨資公司等。甚至在技術(shù)方面，中國范圍內(nèi)也存在較大差異，從較早的4英寸晶圓技術(shù)到尖端的45nm工藝技術(shù)，在中國都能找到足跡。無論是設(shè)備市場還是材料市場，中國無疑是最受關(guān)注的。