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[導讀]日本電子封裝學會下屬、從事部件內置基片調查等業(yè)務的EPADs研究會于2009年9月3日舉行了以“進化的三維封裝及部件內置技術”為題的公開研討會。在該研討會上,5名演講者介紹了半導體三維封裝的現(xiàn)有技術以及5年后的未來

日本電子封裝學會下屬、從事部件內置基片調查等業(yè)務的EPADs研究會于2009年9月3日舉行了以“進化的三維封裝及部件內置技術”為題的公開研討會。在該研討會上,5名演講者介紹了半導體三維封裝的現(xiàn)有技術以及5年后的未來技術。

 

首先,日本IBM東京基礎研究所的佐久間克幸就力爭今后5年實現(xiàn)半導體三維封裝發(fā)表了演講。佐久間表示,現(xiàn)有CMOS技術在功率密度上已至極限,時鐘頻率在2005年前后達到了頂峰。為了提高性能開始推進多核技術,但為了使性能達到最大,必須確保內存帶寬。目前使用硅貫通電極的三維LSI的需求不斷擴大。

 

佐久間介紹了硅的層疊及接合技術的現(xiàn)狀。在層疊方面,充分利用以往技術薄化晶圓進行層疊的“Top-down(自上而下)方法”目前頗受關注。另外,對于芯片間的連接,佐久間表示,可將薄化晶圓的曲翹吸收掉的金屬凸點最為合適。經剪切應力測試表明,鉛焊錫的強度較高,錫銅焊點較脆。

 

WEISTI董事社長福岡義孝就使用硅貫通電極的三維LSI封裝的一種、硅轉接板進行了演講。在配備多個LSI的硅轉接板上,集成通過薄膜技術形成的L、C、R,為連接布線面和背面的外部電極,使用硅貫通電極。已試制出R使用鉻薄膜時為2000μm×31.25μm、最大78000Ω,L為800μm見方、最大圈數(shù)為4.5圈,C為1mm見方、1.93nF的無源部件。

 

第三個登臺的是從事半導體封裝業(yè)務的新光電氣工業(yè)開發(fā)統(tǒng)括部的小山昌一。小山介紹了使用內置底板的轉接板的極限和解決方案。在光刻方面,由于會發(fā)生布線剝離,因此布線及布線間隔存在極限,需要應用半導體薄膜技術等。在通孔方面,用于服務器等終端用途時要對孔完全填埋,需進行利用周期脈沖反向電流(PPR,Periodic Pulse Reverse)的電鍍處理。小山指出了介電體存在的課題,比如,介電體雖然具有成為硅轉接板的可能性,但稱為“Microball”的焊錫球無法完全吸收硅底板的扭曲及曲翹。

 

半導體封裝使用部件內置基片

 

第四個和第五個登臺的演講者談到了部件內置基片。目前,部件內置基片作為可通過現(xiàn)有技術實現(xiàn)的實質性三維LSI手段之一而廣為人知。但實際上多被用作模塊基片。用作模塊基片時,具有下落沖擊性及導熱性出色等特點,在手機及車載等趨于模塊化、要求可靠性的用途中,需求有望增加。

 

太陽誘電復合元件事業(yè)部EOMIN商品部的宮崎政志介紹了無源部件內置底板的薄型化等內容。該公司將向部件內置底板推出外形尺寸為1mm×0.5mm×0.3mm、靜電容量為0.22μF的多層陶瓷電容(MLCC)。今后計劃開發(fā)薄型、大容量化的MLCC,向部件內置底板推廣。內置薄型產品時,具有可減小連接通孔所積蓄應力的優(yōu)點。宮崎表示,目前在高度不足0.13μm的MLCC薄型化方面尚存在局限性,內置基片過渡至薄膜類的開發(fā)也在推進之中。

 

卡西歐微電子的若林猛介紹了在半導體封裝中部件內置基片所受關注度越來越高的情況。關注度日益提高的原因主要有三個。一是用于PoP等時內置基片也可控制在1mm以下。二是可實現(xiàn)低廉價格。目前在低價位封裝中大多采用以引線框實現(xiàn)封裝背面的平面電極QFN,但將部件內置基片用作半導體封裝則可進一步降低成本。三是能夠實現(xiàn)無鉛接合。比如,可通過利用激光的通孔形成電鍍法來連接晶圓級CSP(WLP)。另外,還可自由設定半導體芯片的形狀。由于無需線焊,因此還可將芯片細長化,便于配置平行于總線的布線。

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