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[導讀]原標題:中科院微電子所所長葉甜春:要有“中國芯”先要“中國造”解決“中國芯”的問題必須要解決“中國制造”的問題。集成電路制造技術融合了40多種科學技術及工程領域多種交叉學科和尖端制造技術,對制造裝備、精

原標題:中科院微電子所所長葉甜春:要有“中國芯”先要“中國造”

解決“中國芯”的問題必須要解決“中國制造”的問題。集成電路制造技術融合了40多種科學技術及工程領域多種交叉學科和尖端制造技術,對制造裝備、精密機械、精密儀器、自動化、精細化工和新材料行業(yè)有直接的帶動,代表著當今世界微細制造的最高水平,集人類超精細加工技術之大成。然而,目前中國高端制造裝備與材料依然大量依賴進口,這嚴重制約了產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新能力、可持續(xù)發(fā)展能力和市場核心競爭力的建立。

有效整合技術資源

提升企業(yè)創(chuàng)新能力

推進裝備制造業(yè)進步主要包括三個方面:一是提高產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力。在國際競爭中培育有條件的集成電路裝備、制造、材料企業(yè)成為世界級企業(yè),帶動產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展,產(chǎn)業(yè)綜合實力和科技創(chuàng)新能力進入世界前列。二是提高科技創(chuàng)新能力。支持科研院所和高校,著力開展微電子前沿技術研究,加強技術儲備,引領我國微電子技術發(fā)展,實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)技術水平與世界同步更新。三是提高機制創(chuàng)新能力。創(chuàng)造一個適應產(chǎn)業(yè)國際化趨勢又具有中國特色的重大專項實施運行機制,有效整合國際國內(nèi)技術資源,提高企業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新能力,培養(yǎng)世界一流集成電路產(chǎn)業(yè)人才隊伍。

實現(xiàn)上述目標需要一系列的組織措施。一是進行系統(tǒng)組織產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新,引導產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。首先應圍繞龍頭企業(yè)進行產(chǎn)業(yè)鏈整合,按照上下游配套的方式進行系統(tǒng)布局,以項目群方式支持協(xié)同創(chuàng)新研發(fā)。其次應組織產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟,整合資源,共同發(fā)展,比如組成封測產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟、TSV研發(fā)聯(lián)合體、材料產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新聯(lián)盟等。

二是加強以企業(yè)為主體的產(chǎn)業(yè)研發(fā)聯(lián)盟組織建設。鼓勵產(chǎn)學研用結合,鼓勵企業(yè)加強與院校合作,鼓勵院校圍繞企業(yè)需求開展技術攻關和創(chuàng)新研發(fā)工作。對競爭先導研發(fā)項目,以技術平臺和創(chuàng)新能力建設為核心,進行整體布局和組織整合,組織國內(nèi)有優(yōu)勢的科研院所、高校與骨干企業(yè)組成全國性聯(lián)盟,建設世界水平的開放式創(chuàng)新基地,鼓勵科研院所和高校與企業(yè)建立聯(lián)合實驗室。

三是大力推進知識產(chǎn)權戰(zhàn)略。在創(chuàng)新基礎上,鼓勵有策略的知識產(chǎn)權布局,形成“保護傘”,從“引進消化吸收再創(chuàng)新”轉(zhuǎn)為“基于自主創(chuàng)新的國際合作”。結合產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟,推進知識產(chǎn)權共享,形成專利池。

拋棄“替代戰(zhàn)略”

立足“協(xié)同創(chuàng)新”

當然,目前仍然存在一些問題。一是國家對產(chǎn)業(yè)的投入不足。我國集成電路的整個產(chǎn)業(yè)規(guī)模小,基礎薄弱,產(chǎn)能嚴重不足的現(xiàn)狀,說到底還是投入嚴重不足。由于其他渠道投入少,致使科技專項實際上承擔了整個產(chǎn)業(yè)資源組織的主要平臺功能,超出了科技專項承載的范圍。我國集成電路產(chǎn)業(yè)還遠未達到可以支撐自我良性發(fā)展的規(guī)模,還需要下戰(zhàn)略決心,加大產(chǎn)業(yè)投入。

二是從業(yè)企業(yè)缺乏辦企業(yè)的精神,活力不足。很多企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略不明晰,缺乏清晰的發(fā)展路線圖和差異化的產(chǎn)品規(guī)劃,產(chǎn)品碎片化、同質(zhì)化嚴重,沒有專職的研發(fā)機構,無力開展系統(tǒng)性的研發(fā)工作。企業(yè)內(nèi)部仍然依賴“人治”,缺乏現(xiàn)代企業(yè)機制保障和組織執(zhí)行力。

三是在系統(tǒng)-設計-制造-封測-裝備-材料的產(chǎn)業(yè)鏈條上,企業(yè)相互害怕,信心不足,存在下游欺負上游,一環(huán)怕一環(huán)的現(xiàn)象。

因此,中國集成電路制造的出路還在于“協(xié)同創(chuàng)新戰(zhàn)略”,拋棄“替代戰(zhàn)略”,從引進消化吸收的受制于人中解脫出來,立足終端市場的產(chǎn)品定義,立足自主創(chuàng)新,立足上下游聯(lián)手,由一環(huán)怕一環(huán),變成一環(huán)拉一環(huán),才可能建立起真正的門檻,建立起差異化的競爭力,贏得發(fā)展主動權。

(本文由本報記者陳炳欣根據(jù)演講錄音整理,未經(jīng)本人審閱。)

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目前我國產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新已取得一定進展。自2008年以來,我國針對集成電路先進制造工藝和特色工藝做了重點布局,部分成果已形成產(chǎn)品進入市場銷售和推廣應用,在14nm~20nm先導研發(fā)上取得進展,初步形成知識產(chǎn)權體系。22nm后高k工藝、嵌入式存儲器、DFM模塊形成解決方案,研制出與主流工藝兼容的FinFET原型器件(全后棚HKMG)。在22nm和14nm技術代,完成專利申請1500多項(包括美國專利500多項)。

在高端封裝上實現(xiàn)跨越,一批高端封裝工藝開發(fā)成功,一些技術開始與國際領先廠商并駕齊驅(qū)。在高密度多層多芯片堆疊工藝技術上已達國際一流。8層及8層以上的芯片堆疊工藝技術,芯片厚度僅75μm;多芯片、高密度封裝技術,12英寸晶圓厚度減薄可達50μm,低焊線技術弧高低達30μm。

國產(chǎn)裝備實現(xiàn)從無到有的突破。2008年12英寸國產(chǎn)裝備是空白,當時只有2種8英寸設備,至2013年已有3種65nm設備、2種28nm設備實現(xiàn)銷售,6種28nm設備驗證接近完成。其中,前道裝備累計銷售168臺,后道封測設備累計銷售670臺(其中封裝光刻機銷售10臺),太陽能、LED裝備累計銷售390臺(套),零部件累計銷售3405件。上海中微的12英寸介質(zhì)刻蝕機進入批量銷售;北方微12英寸硅刻蝕機、PVD進入銷售,TSV封裝與LED系列裝備開始批量銷售;上海微電子封裝光刻機等產(chǎn)品進入批量銷售;七星華創(chuàng)Low-k清洗機、氧化爐等產(chǎn)品開始進入銷售;北京中科信12英寸注入機等產(chǎn)品開始用戶試用考核;上海睿勵的光學檢測設備等產(chǎn)品開始用戶試用考核。

總體上來說,隨著國家重大專項的實施,集成電路產(chǎn)業(yè)技術取得長足進步,產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新能力正在加速提升,產(chǎn)業(yè)鏈正在加速形成,一流的產(chǎn)業(yè)人才隊伍正在加速集聚,同時逐步摸索出一套適應國情的聯(lián)合攻關方式,得到各方肯定,如組織“產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新聯(lián)盟”,按產(chǎn)業(yè)鏈模式組織攻關;實行“用戶考核制”,下家考核上家、整機考核部件、市場考核產(chǎn)品。

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