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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】受宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟影響,2012年半導(dǎo)體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示,2013年的半導(dǎo)體市場將會繼續(xù)呈下降趨勢,相反地,功率MOSFET領(lǐng)域則會在2013年預(yù)計(jì)將

【導(dǎo)讀】受宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟影響,2012年半導(dǎo)體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示,2013年的半導(dǎo)體市場將會繼續(xù)呈下降趨勢,相反地,功率MOSFET領(lǐng)域則會在2013年預(yù)計(jì)將增長7.7%,移動通信應(yīng)用將是主要?jiǎng)恿Α?

摘要:  受宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟影響,2012年半導(dǎo)體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示,2013年的半導(dǎo)體市場將會繼續(xù)呈下降趨勢,相反地,功率MOSFET領(lǐng)域則會在2013年預(yù)計(jì)將增長7.7%,移動通信應(yīng)用將是主要?jiǎng)恿Α?/STRONG>

關(guān)鍵字:  英飛凌科技,  智能電網(wǎng),  肖特基勢壘二極管

受宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟影響,2012年半導(dǎo)體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示,2013年的半導(dǎo)體市場將會繼續(xù)呈下降趨勢,相反地,功率MOSFET領(lǐng)域則會在2013年預(yù)計(jì)將增長7.7%,移動通信應(yīng)用將是主要?jiǎng)恿Α?/P>

Thomas 表示,目前全球約1/3的能源消耗以電的方式被消耗掉,其中美國、歐洲和中國三個(gè)國家/地區(qū)是三大消耗大戶。然而,“大部分的能源實(shí)際上不是被用掉了,而是損失掉的,” Thomas說,“而通過使用電源半導(dǎo)體,可有效減少這部分能源損失?!?他指出,至2030年,半導(dǎo)體解決方案可望幫助節(jié)省27%的能源。

“傳統(tǒng)家庭能源消耗主要用于照明、做飯、取暖等,而現(xiàn)在生活中出現(xiàn)了越來越多的電子設(shè)備如多媒體技術(shù)、通信、IT設(shè)備等,” Thomas說,“這些變化應(yīng)該促使我們重新思考,當(dāng)過渡到智能城市時(shí)能源的利用方式,以最大限度地減少非必要的能源消耗,如電源損耗、待機(jī)功耗,使可再生能源的整合利用及和供/需平衡等?!?而解決所有這些問題,智能電網(wǎng)是必要的,而且是具有局部分布式智能、安全、高效及升級可控的現(xiàn)有電網(wǎng)的升級。

談到智能電網(wǎng)發(fā)展現(xiàn)狀時(shí),Thomas指出,“對于建立智能電網(wǎng)來說,僅僅添加‘智能’是不夠的。” 新的智能電網(wǎng)系統(tǒng)需要同時(shí)實(shí)現(xiàn)以下三個(gè)目標(biāo):減少CO2排放量、電力供需實(shí)現(xiàn)平衡、電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性和安全性。 “更低的能源消耗可通過高性能半導(dǎo)體器件來實(shí)現(xiàn)?!彼硎?,功率半導(dǎo)體在提高整個(gè)電力供應(yīng)鏈的能效方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,從發(fā)電、輸配電到最后的用電。同時(shí)功率半導(dǎo)體可提高電子設(shè)備的電源能效,而在可再生能源領(lǐng)域,它們在將風(fēng)電和太陽能電力接入電網(wǎng)以及減少輸電損耗方面,都發(fā)揮了極其重要的作用。此外,安全性—防止惡意攻擊;各種使電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)分布式控制的配套智能設(shè)備、傳感器、微控制器;可減少電力損失并提供可靠能源的高能效半導(dǎo)體,這些因素都是需要考慮的。

因此英飛凌未來在智能電網(wǎng)領(lǐng)域,將重點(diǎn)發(fā)展能源效率、移動和安全性相關(guān)的業(yè)務(wù)。Thomas介紹說,現(xiàn)在英飛凌的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋智能電網(wǎng)所有領(lǐng)域,包括:電源轉(zhuǎn)換、先進(jìn)傳輸、智能電表/家居、電動汽車和公共交通、高效率及照明。

針對這些應(yīng)用,英飛凌在前不久推出旨在提升系統(tǒng)效率同時(shí)兼顧易于使用的最新600V CoolMOS P6產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列彌合了專注于提供極致性能的技術(shù)(CP)與強(qiáng)調(diào)易于使用的技術(shù)(如C6或E6)之間的鴻溝。P6系列可在服務(wù)器、通信設(shè)備等的整流器、臺式機(jī)電源和電子游戲機(jī)等應(yīng)用的硬開關(guān)和軟開關(guān)PFC和PWM拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)出色性能。此外,得益于其細(xì)化的產(chǎn)品組合,CoolMOS P6產(chǎn)品系列的性價(jià)比在當(dāng)前市場上的所有超級結(jié)技術(shù)的產(chǎn)品中罕有其匹。

Thomas介紹說,得益于其更低的Qg,P6提高了效率,尤其是在輕負(fù)載條件下。他解釋說,像電視機(jī)、電腦這些電子設(shè)備是不需要24小時(shí)開機(jī)的,但是不用時(shí)一般都處于待機(jī)狀態(tài),即輕負(fù)載狀態(tài),英飛凌就希望能提高這一狀態(tài)下的效率。該產(chǎn)品系列還具備較高的閾值電壓,實(shí)現(xiàn)提前關(guān)斷,從而提高軟開關(guān)應(yīng)用的效率。由于其性能可靠的體二極管,P6不僅可用于硬開關(guān) PFC,也可用于軟開關(guān)PWM(如LLC)。另外,經(jīng)優(yōu)化的Rg阻值最好地兼顧效率和易于使用性以及對開關(guān)行為的有效控制。較之于先前的技術(shù), dv/dt從50V/ns提高至100V/ns,確保其更可靠的性能和更高開關(guān)效率。

除了P6系列,英飛凌同時(shí)發(fā)布的還有第五代650V thinQ! SiC 肖特基勢壘二極管。英飛凌將其榮獲專利的擴(kuò)散焊接工藝成功地與更緊湊的全新設(shè)計(jì)和最新的薄晶圓技術(shù)有機(jī)結(jié)合在一起,改進(jìn)了熱特性,并使一個(gè)優(yōu)值系數(shù)(Qc x Vf)與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。其結(jié)果是,新一代產(chǎn)品相對于英飛凌以往各代thinQ! 產(chǎn)品, PFC升壓級在所有負(fù)載條件下的效率都得到了進(jìn)一步的提升。英飛凌第五代產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是高端服務(wù)器和電信SMPS(開關(guān)模式電源)、PC銀盒和照明應(yīng)用、太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)系統(tǒng)等。通過利用新一代器件,這些應(yīng)用不但可以提高能效,而且還可以降低EMI(電磁干擾),提高系統(tǒng)可靠性,以及縮減成本/尺寸——因制冷要求降低。Thomas表示,第五代SiC二極管相對于以往推出的各代產(chǎn)品,可進(jìn)一步改進(jìn)系統(tǒng)能效和功率密度,同時(shí)具有極具吸引力的性價(jià)比。而P6系列與SiC G5系列,經(jīng)優(yōu)化了的功率MOSFET和SiC二極管完美地實(shí)現(xiàn)了能效與易用性之間的平衡。

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