【導讀】恒憶與海力士擴大合作，共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產品 恒憶（Numonyx）宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產品線并共同研發(fā)未來產品，進行技術創(chuàng)新。  
    恒憶（Numonyx）宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產品線并共同研發(fā)未來產品，進行技術創(chuàng)新。 

    根據新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領先的NAND存儲器技術和產品，并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域，雙方也將進行合作。 

    隨著技術的發(fā)展以及光刻節(jié)點變得越來越小，制造NAND存儲器也變得越來越復雜。電荷捕獲型NAND預期將取代目前主流的浮動門NAND技術，而恒憶在NOR閃存技術上的豐富經驗將對此作出積極貢獻。要應對這個挑戰(zhàn)，存儲器供應商需要在未來五年更深入地了解器件的物理性能和整體存儲器系統(tǒng)級解決方案。 

    恒憶軟件技術將有助于存儲器供應商達到上述要求，并對市場滲透產生正面影響，提升microSD、eMMC和SSD等集成NAND解決方案的市場份額。恒憶與海力士的合作將帶來重大的整合效應，而恒憶在解決非易失性存儲器挑戰(zhàn)方面有40年的歷史并且在開發(fā)固件、微控制器和其他系統(tǒng)解決方面擁有豐富的經驗，這些因素都將在NAND從原始芯片向系統(tǒng)的轉變中起關鍵作用。 

    除了在NAND上的合作，兩家公司在中國無錫的合資企業(yè)目前正計劃生產300毫米低功耗移動DRAM。兩家公司針對移動設備的解決方案中均采用了與多芯片封裝中的非易失性存儲器進行普通堆疊的移動DRAM。在移動DRAM上的合作讓兩家公司能夠向需要小型設備的客戶提供更多成本效益高的低功耗多芯片存儲器子系統(tǒng)。海力士在今年四月份推出了世界上速度最高的1Gb LPDDR2產品，成為移動DRAM產品行業(yè)的領袖。其在產品多樣化、技術、性能以及兼容SDR/DDR接口方面保持領先，提供單芯片解決方案。