【導(dǎo)讀】“與三星角力不退半步！” 東芝談NAND市場     
    控制NAND閃存、NOR閃存、DRAM內(nèi)存等未來內(nèi)存市場的條件是什么？在東京國際數(shù)字會議上，各內(nèi)存廠商以“內(nèi)存無線時代的挑戰(zhàn)”為題，對市場的未來發(fā)展做了展望。  

    其中，值得關(guān)注的是東芝對NAND閃存市場所做的分析。上臺發(fā)言的是東芝半導(dǎo)體公司副社長齊藤升三。“NAND閃存的年供貨總位數(shù)已經(jīng)超過DRAM內(nèi)存”。齊藤預(yù)測說，2008年NAND閃存將發(fā)展成一個規(guī)模達(dá)3萬億日元的大市場。認(rèn)為，市場規(guī)模與DRAM相同、與DRAM相比位單價更便宜的NAND閃存在供貨金額方面很快也將趕上來。  

    關(guān)于今后的NAND閃存市場，齊藤表示，隨著價格的走低，市場也將隨之迅速擴(kuò)大（圖1）。過去幾年NAND閃存的價格每年以40%的幅度下降，2005年隨著iPod nano的亮相，每年的價格降幅已達(dá)50%。照此形勢發(fā)展下去，首先是數(shù)碼攝像機(jī)，接下來就將是電腦市場?！霸跀?shù)碼攝像機(jī)中錄1個小時的HDTV錄像所需的存儲容量為3G～4GB。NAND閃存應(yīng)用于數(shù)碼攝像機(jī)只是時間問題。在電腦領(lǐng)域，閃存有可能作為SSD（固態(tài)磁盤）來使用”（齊藤說）。  

    隨后齊藤還對大容量化技術(shù)中的多值技術(shù)進(jìn)行了預(yù)測。齊藤表示，每單元4位的16值NAND閃存有望在2008年開發(fā)成功（圖2）。不過，隨之而來的課題則是NAND閃存的讀寫速度會下降。解決這種性能下降問題的關(guān)鍵在于控制IC?！癗AND閃存性能的下降取決于控制IC，用戶看不出來。惟有控制IC才能成為實(shí)現(xiàn)新一代NAND閃存的關(guān)鍵元件。正因?yàn)槿绱耍?strong>東芝正在致力于控制IC的開發(fā)”。齊藤說。此外，在微細(xì)化方面現(xiàn)已瞄準(zhǔn)30nm，2009年下半年有望實(shí)現(xiàn)。不過，30nm以后需要全新EUV曝光設(shè)備的微細(xì)化計(jì)劃尚未確定。  

    對于市場競爭激烈的NAND閃存，“最重要的是產(chǎn)量”。齊藤表示，將緊追排名第1位的韓國三星電子。“NAND閃存市場將是我們和三星電子平分秋色”。因此，重要的是繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)開發(fā)和市場開拓。