【導讀】東芝將砸26億美元建NAND廠 挑戰(zhàn)三星電子       根據(jù)彭博社報導，日本一線芯片廠商東芝Toshiba Corp.(JP-6502)將投資3000億日圓 (折合26億美元)興建一座閃存芯片廠，以挑戰(zhàn)業(yè)內(nèi)龍頭南韓三星電子SamsungElectronics Co.。       東芝將在今明兩個年度內(nèi)在日本三重縣四日市(Yokkaichi)投資興建閃存芯片廠，新廠已動工，預定在2007年10月投產(chǎn)，將晶圓產(chǎn)能提高至6.75萬片。       東芝社長Atsutoshi Nishida提高NAND閃存芯片產(chǎn)能，期彌補價格下跌，滿足市場需求，以及縮小與勁敵三星電子的差距。       東芝曾在5月份表示，擬于2009年3月以前投資旗下半導體分支1.02兆日圓，看好數(shù)字相機和數(shù)字隨身聽等產(chǎn)品需求將持續(xù)炒熱閃存銷售。       根據(jù)市場調(diào)查業(yè)者ISuppli Corp.發(fā)布，截至3月底的當季，東芝占全球NAND市場版圖由先前一季的19%擴大至25%，三星的市場占有率由51%下滑至49%。       東芝與美商SanDisk Corp.將均享四日廠產(chǎn)能，兩家公司合資成立的Flash Partners Ltd.在四日市生產(chǎn)NAND閃存，由東芝持股51%，其余股權由SanDisk持有。       SanDisk本周稍早表示，將加碼3.5億美元，至23億美元，投資四日廠，以配合東芝的投資支出計劃。