在全球存儲器市場上，從2016年至今，DRAM(動態(tài)隨機存儲器)和NAND Flash(NAND閃速存儲器)市場價格一漲再漲。韓國存儲器大廠三星則因此大大受益。并且，美國市場研究機構IC insights預測，繼中國臺積電市值趕超美國英特爾之后，三星就很有可能在2017年第二季度取代英特爾，成為全球半導市場老大。

IC insights公布數(shù)據(jù)顯示：在全球半導體市場上，從2016年第一季度到2017年第一季度，三星半導體銷售額逐個季度遞增;2017年第一季度，英特爾半導體銷售額反倒比起上一個季度減少15億美元左右。IC insights還預測：2017年第二季度，英特爾半導體銷售額144億美元，三星半導體銷售額149.4億美元，比英特爾多出大約5億美元。

2017年第二季度，在全球半導體市場上，三星半導體銷售額超過英特爾。

僅2016年下半年，在全球DRAM市場上，英特爾沒占到什么市場份額，三星占得大約50%市場份額;而在全球NAND Flash市場上，英特爾占得市場份額介于6%到7%之間，三星占得36%以上市場份額。所以，DRAM和NAND Flash市場價格雙雙快速上漲，自然導致了三星半導體銷售額逐個季度遞增。從2016年第一季度到2017年第一季度，DRAM市場價格上漲45%，NAND Flash市場價格上漲40%。加之，整個2017年，DRAM和NAND Flash市場價格依然會很堅挺。

2016年下半年，在全球DRAM市場上，三星和海力士合占70%以上市場份額。

2016年下半年，在全球NAND Flash市場上，三星占得36%以上市場份額。

2016年，在全球半導體市場上，三星半導體銷售額僅次于英特爾。

當然，英特爾也深知，臺積電和三星等重量級競爭廠商正給自身帶來沖擊，英特爾必須有所改變。比如，英特爾正向人工智能、云計算、車聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)等新領域拓展業(yè)務。再有，英特爾會緊隨三星步伐，同樣在2017年投產(chǎn)10nm制程工藝。英特爾向媒體稱，英特爾所研發(fā)10nm制程工藝，要優(yōu)于臺積電和三星所研發(fā)10nm制程工藝。這等于是說，就算英特爾市值落后于臺積電，就算英特爾半導體銷售額落后于三星，但英特爾在技術研發(fā)上卻依然領先于同行中其他競爭廠商。

結語：在過去一年多時間，全球存儲器市場價格大幅上漲，對華為來說不是什么好事。另外，可能會有人分不清本文所說半導體、存儲器、DRAM和NAND Flash之間關系。簡單來說，半導體包含存儲器，存儲器包含DRAM和NAND Flash。