MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開始，一直持續(xù)到現(xiàn)在。到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價格調(diào)漲。

據(jù)了解，MOSFET的這波漲價主要由于上游晶圓代工廠產(chǎn)能有限，加之需求市場火爆，引發(fā)缺貨潮。業(yè)界預料以目前MOSFET缺貨情況判斷，供給吃緊可能持續(xù)至2019年上半年。這其中，汽車及工業(yè)應用對MOSFET需求上漲是一方面推手，另一方面，大型企業(yè)重新聚焦于更高端、毛利率更高的產(chǎn)品，如汽車及工業(yè)應用的IGBT、碳化硅MOSFET、超接面MOSFET，使得通用MOSFET與IGBT的交期增加至6個月以上，這為MOSFET的供應緊張更加了一把火。

另外，據(jù)12.3日消息，G20峰會之后，中美貿(mào)易緊張情勢趨緩，晶圓與MOSFET在市場持續(xù)供不應求，缺貨情況繼續(xù)發(fā)酵，再度成為資金追逐焦點，激勵晶圓和MOSFET的股價上漲。

晶圓廠環(huán)球晶透露，至9月底預收款高達220億元新臺幣，較第2季增加88億元新臺幣，并創(chuàng)下歷史新高紀錄，顯示客戶需求強勁。環(huán)球晶預期，明年平均單價將高于目前水平，2020年報價將持平或小幅上揚。MOSFET廠杰力預期，明年上半年MOSFET市場仍將維持供不應求熱況，產(chǎn)品還有漲價空間。

與此形成鮮明對比的是，前一段時間不斷漲價的DRAM開始走下坡路了!

據(jù)集邦咨詢的最新報告，第四季DRAM合約價二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴大。

報告中指出，今年第四季DRAM價格正式反轉(zhuǎn)向下，11月合約價甚至出現(xiàn)二次下修的狀況，以目前成交方式來看，已有部分比重的合約價改以月(monthly deal)方式進行議價，顯示買方對于DRAM價格后勢看法悲觀，預計2019年第一季DRAM合約價跌幅將持續(xù)擴大。

以今年11月來看，4GB與8GB的價格除了高價仍有維持之外，在中低價都已調(diào)降，主流模組4GB的均價較10月的31美元滑落至30美元，跌幅3.2%;8GB亦同，均價由上個月的61美元滑落至60美元，跌幅1.6%。

觀察今年第四季DRAM平均銷售單價有近8%的跌幅，其中以標準型存儲器、服務器存儲器與利基型存儲器為最，季跌幅都接近10%;而行動式存儲器由于先前缺貨時漲價幅度較小，因此第四季的跌幅相對較小，僅約5%。

展望明年第一季，DRAMeXchange指出，供給面較2018年第四季持續(xù)增加，主要來自于1Ynm制程良率持續(xù)改善、投入比重持續(xù)增加，以及三星平澤廠在今年第四季的持續(xù)增產(chǎn);而每年首季都是傳統(tǒng)需求淡季，加上2019年第一季智能手機的出貨力道恐怕較往年更為疲弱，恐將造成行動式存儲器價格跌幅擴大。從整體DRAM價格來看，明年第一季跌幅較今年第四季更為顯著恐怕是不可避免的狀況。

供給增加、需求更趨弱化，DRAM整體市況將持續(xù)走弱，看來短期內(nèi)，DRAM是逃不脫跌跌不休的命運了。