市調機構ICInsights發(fā)表全球半導體廠今年資本支出預估調查，三星、英特爾、臺積電等3大廠仍是全球主要投資者，且3大廠今年資本支出就占全球資本支出總額的51.8％強。業(yè)界認為，先進制程的投資快速飆升，預估至10奈米世代時，可能只有前3大廠有能力進行大規(guī)模投資。

據統(tǒng)計，去年全球半導體廠資本支出總額達574.3億美元，前10大廠占比達80％，至于前3大廠占比則高達55.5％，大者恒大的態(tài)勢十分明確。今年全球半導體廠資本支出將達622.3億元，年增率達8％，其中前10大廠占比再攀升至81％，前3大廠占比雖然降至51.8％，但仍然維持過半。

由前10大廠資本支出變化來看，去年僅有臺積電、格羅方德（GlobalFoundries）、東芝、中芯等4家業(yè)者資本支出較前年增加，但今年除了三星之外，其余9家業(yè)者資本支出均高過去年水準，其中以新帝的資本支出年增率約達86％最高，主要是與東芝合資的NANDFlash廠將在今年下半年量產，且3DNAND也將開始加快研發(fā)腳步。

美光去年并購日本DRAM廠爾必達后，今年為了加速轉進20奈米世代，并提高NANDFlash產能，所以預估今年資本支出將達30.5億美元、年增率高達58％，是成長率第2高的業(yè)者。

業(yè)界人士認為，今年雖然有9家業(yè)者的資本支出超過10億美元規(guī)模，但前3大廠與其它業(yè)者間的差距實在太大，如三星及英特爾資本支出今年仍超過110億美元，臺積電則略低于100億美元，幾乎是第10名中芯的年度支出的10倍以上。

當然前3大廠之所以會投入如此龐大資金，一來是為了提高產能，二來則是因為先進制程的微縮投資花費愈來愈高，如20奈米晶圓廠投資金額高達70億美元，制程研發(fā)投資高達15億美元，已經不是一般半導體廠玩得起的游戲。

業(yè)界認為，明年全球半導體廠將進入3D架構記憶體及電晶體新時代，但記憶體制程微縮帶來的成本效益已然有效，業(yè)者投資金額不太可能再放大，至于邏輯IC因進入14/16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）世代，需要比20奈米投入更高資金進行擴產及研發(fā)，2017年進入10奈米世代后，看來只有三星、英特爾、臺積電有能力進行大規(guī)模投資。