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惠瑞捷子公司推出用于高級(jí)DRAM測(cè)試的全晶圓探針

時(shí)間：2010-07-28 09:41:30

關(guān)鍵字： DRAM 晶圓 TECHNOLOGIES HD

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[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷 (Verigy)旗下全資子公司 Touchdown Technologies 推出了其 1Td300 全晶圓探卡，這是該公司首款用于高級(jí) DRAM 存儲(chǔ)器件單次觸壓、高容量測(cè)試的探卡。該產(chǎn)品能夠?qū)?300 mm或200 mm 晶圓進(jìn)行高并行

半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷 (Verigy)旗下全資子公司 Touchdown Technologies 推出了其 1Td300 全晶圓探卡，這是該公司首款用于高級(jí) DRAM 存儲(chǔ)器件單次觸壓、高容量測(cè)試的探卡。該產(chǎn)品能夠?qū)?300 mm或200 mm 晶圓進(jìn)行高并行測(cè)試(highly parallel tesTIng)。

　　每探針只需要2g壓力就能夠測(cè)試整個(gè)300 mm晶圓——堪稱業(yè)界最低的探針壓力，所需壓力不到市面上同類產(chǎn)品的一半——1Td300 探卡提供了雙重優(yōu)勢(shì)，不僅能夠降低對(duì)被測(cè)晶圓和整個(gè)測(cè)試臺(tái)的壓力，同時(shí)允許更高的引腳數(shù)，以拓展半導(dǎo)體測(cè)試范圍。《國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖》 (ITRS) 預(yù)計(jì)，到2011年，DRAM 的多芯片并行測(cè)試將從2010年測(cè)試的512個(gè)芯片增加到768個(gè)。這相當(dāng)于目前 DRAM 超過50,000的引腳數(shù)，隨著芯片尺寸繼續(xù)變小逐漸攀升至100,000。

　　惠瑞捷子公司 Touchdown Technologies 總裁 Patrick Flynn 表示：“由于對(duì)于 DDR3 存儲(chǔ)器這樣的高級(jí)半導(dǎo)體而言探針數(shù)逐漸增加，因此降低測(cè)試成本需要不斷提高并行性(parallelism)水平。而通過我們新推出的 1Td300 探卡，我們已經(jīng)開發(fā)出一個(gè)超低壓力的單次觸壓、可靠性測(cè)試解決方案，能夠在實(shí)現(xiàn)所需的平面度和接觸性能的同時(shí)不損害被測(cè)器件。”

　　Touchdown Technologies 的新探卡使用獲得專利的全晶圓架構(gòu)和基于MEMS 的ACCU-TORQ彎曲探針進(jìn)行非常平滑的單次觸壓測(cè)試。

　　Touchdown Technologies 繼去年面向 NAND 和 NOR 閃存推出首款 1Td300 單次觸壓探卡之后推出了該產(chǎn)品。

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