率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導體供應商英飛凌科技股份有限公司近日在應用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ!™  SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容，可在高開關頻率和輕負載條件下提升整個系統(tǒng)的效率，從而幫助降低電源轉換系統(tǒng)成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業(yè)界種類最為齊全的碳化硅肖特基二極管系列，不僅包括TO-220封裝（真正的雙管腳版本）產品，還包括面向高功率密度表面貼裝設計的DPAK封裝產品。

SiC肖特基二極管的主要應用領域是開關模式電源（SMPS）的有源功率因數(shù)校正（CCM PFC）和太陽能逆變器與電機驅動器等其他AC/DC和DC/DC電源轉換應用。

相對于第二代產品，英飛凌全新的SiC肖特基二極管的器件電容降低約40%，因此減少了開關損耗。例如，工作頻率為250 kHz的1kW功率因數(shù)校正級在20%負載條件下整體能效將提高0.4%。更高的開關頻率允許使用成本更低、更小的無源組件（如電感和電容器），實現(xiàn)更高功率密度設計。更低的功耗也降低了對散熱器和風扇的尺寸和數(shù)量要求，從而降低系統(tǒng)成本，提高可靠性。英飛凌期望將某些SMPS應用的系統(tǒng)成本降低20%。

英飛凌工業(yè)及多元化電子市場部高壓MOS業(yè)務負責人Andreas Urschitz指出：“英飛凌在全球范圍內率先提供SiC肖特基二極管，于2001年推出首批產品。近8年來，英飛凌在多個方面對碳化硅肖特基二極管技術進行了眾多重大改進，例如浪涌電流穩(wěn)定性、開關性能和產品成本，使SiC技術惠及更多應用，并且降低了解決方案成本。SiC是一種真正的創(chuàng)新技術，有助于對抗全球氣候變化，推動太陽能和節(jié)能照明系統(tǒng)市場發(fā)展?！?/p>

供貨、封裝與定價
英飛凌第三代 thinQ! SiC肖特基二極管提供采用TO-220和DPAK封裝的600V（3A、4A、 5A、6A、8A、9A、10A和12 A）產品和采用 TO-220封裝的1200V產品（2A、5A、8A、10A和 15 A）。產品樣品于2009年1月開始提供，預計在2009年早春開始批量生產。阻斷電壓為600V（3A）的第三代 SiC肖特基二極管在訂購量達到萬片時的單價為0.61歐元（0.85美元）。電流為4A的產品在訂購量達到萬片時的單價為0.85歐元（1.19美元），電流為8 A的產品在訂購量達到萬片時的單價為1.89歐元（2.65美元）。