Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(jì) (5 matrix emitter Bipolar process)。
這對(duì)互補(bǔ)性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面積只有1.1 x 1.4毫米,離版高度為0.5毫米,有助于設(shè)計(jì)出極其纖巧的便攜式產(chǎn)品,還可改善產(chǎn)品的電性能及熱特性。
這些微型晶體管適用于MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換及一般開關(guān)工作,比體積更大的SOT23封裝元件更能節(jié)省空間,并體現(xiàn)盡善盡美的熱性能,其在占位面積最小的FR-4 PCB上的額定耗散功率僅為0.38W。
最新雙極器件的特點(diǎn)包括高增益、低飽和度及快速開關(guān),并具有極高的連續(xù)電流處理能力。NPN和PNP器件的最大額定集電極電流分別為1.5A和–1.25A,超過目前所有封裝體積更小的器件。
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