英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米),高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感,使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。
全新封裝采用表面貼裝方式,在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內(nèi),貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒,并具備金屬裸焊盤(pán),便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)出更薄的電源外殼,滿足當(dāng)今市場(chǎng)對(duì)時(shí)尚纖巧新品的需求。目前有兩家公司可推出這種新封裝:英飛凌和意法半導(dǎo)體將推出采用這種創(chuàng)新封裝的MOSFET,分別為T(mén)hinPAK 8x8(英飛凌)和PowerFLAT™ 8x8 HV(意法半導(dǎo)體),為客戶提供不同的優(yōu)質(zhì)選擇。
英飛凌高壓MOS產(chǎn)品線經(jīng)理Jan-Willem Reynaerts指出:“今天我們與意法半導(dǎo)體合作推出的新型封裝,為高壓MOSFET的無(wú)管腳SMD封裝樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿。CoolMOS™ 等硅技術(shù)已發(fā)展到可高效快速開(kāi)關(guān)的高級(jí)階段。在該階段,傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)過(guò)孔封裝逐漸成為限制能效和功率密度進(jìn)一步提升的因素?!?/p>
ThinPAK 8x8封裝不僅具備2nH的極低寄生電感(D2PAK的寄生電感為6nH)、與D2PAK類似的散熱性能,而且其獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源連接點(diǎn)可以保證干凈的柵極信號(hào)。因此,ThinPAK 8x8封裝可使功率MOSFET實(shí)現(xiàn)更快速、高效的開(kāi)關(guān),更輕松地處理開(kāi)關(guān)行為和電磁干擾。
初期,英飛凌將推出三款采用這種新封裝的600V CoolMOS™ 器件:199毫歐(IPL60R199CP)、299毫歐(IPL60R299CP)和385毫歐(IPL60R385CP)。
物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 正在興起。智能設(shè)備正在釋放技術(shù)優(yōu)勢(shì),幫助人們創(chuàng)造附加值,提高行業(yè)生產(chǎn)率。然而,物聯(lián)網(wǎng)也帶來(lái)了許多挑戰(zhàn),例如新技術(shù)的復(fù)雜性,以及獲取和處理數(shù)據(jù)以做出明智決策的需求。換句話說(shuō),將產(chǎn)品特性轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)解決方案...
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